맞춤기술찾기

이전대상기술

아르곤 플라즈마 처리를 이용한 p형 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000486
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 TFT의 제조 방법은 기판에 산화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 및 상기 산화물 박막에 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하되, 상기 산화물 박막은 p형 산화물 박막이고, 상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화물 박막 내의 홀 농도를 감소시킴으로써, 상기 p형 산화물 박막의 저항을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170095559 (2017.07.27)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0012498 (2019.02.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.27)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권혁인 대한민국 서울특별시 강남구
2 배상대 대한민국 서울특별시 동대문구
3 권수훈 대한민국 경기도 부천시 고강

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0726856-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0037073-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0650609-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1137262-72
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1137261-26
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0193875-09
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.04.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0383463-12
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0383462-66
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0329451-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 채널 층을 형성하기 위하여 산화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 및상기 산화물을 포함하는 박막에 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하되,상기 산화물을 포함하는 박막은 p형 산화주석(SnO) 박막이고,상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화주석(SnO) 내의 홀 농도를 감소시킴으로써, 상기 p형 산화주석(SnO) 박막의 저항을 증가시키는 것을 특징으로 하는,산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 p형 산화주석(SnO) 박막에 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계는,아르곤 플라즈마 처리를 15초 내지 25초를 수행하는 단계를 포함하는,산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 p형 산화주석(SnO) 박막은상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, SnO를 SnO2로 부분적으로 산화시키는 것을 특징으로 하는,산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화주석(SnO) 박막을 포함하는 트랜지스터의 온/오프 비(ION/IOFF)를 증가시키고 오프 전류(IOFF)를 감소시키는 것을 특징으로 하는,산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 아르곤 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 통해, 상기 p형 산화주석(SnO) 박막의 표면의 거칠기를 감소시키는 것을 특징으로 하는,산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 중앙대학교 산학협력단 개인기초연구(미래부) 산화물 박막 트랜지스터를 활용한 모노리틱 3차원 CMOS 공정 개발 및 고성능 회로 구현