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질화규소(Si3N4) 기판;상기 질화규소(Si3N4) 기판 상에 형성되는 Pd-TiO2 층; 및상기 Pd-TiO2 층 상에 형성되는 회로 패턴을 포함하는 방열 기판
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제 1 항에 있어서,상기 회로 패턴은, 제1무전해 도금층 및 상기 제1무전해 도금층 상에 형성되는 전해 도금층의 적층구조이거나, 또는, 제1무전해 도금층 및 상기 제1무전해 도금층 상에 형성되는 제2무전해 도금층의 적층구조이거나, 또는, 제1무전해 도금층, 상기 제1무전해 도금층 상에 형성되는 제2무전해 도금층 및 상기 제2무전해 도금층 상에 형성되는 전해도금층의 적층구조인 방열 기판
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제 2 항에 있어서,상기 제1무전해 도금층은 상기 Pd-TiO2 층을 시드층으로 하여 무전해 도금법에 의해 형성되는 방열 기판
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베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판의 상부에 히드록실기(-OH)를 형성하는 단계;상기 베이스 기판의 상부에 아민(-NH2)기를 형성하는 단계;상기 베이스 기판의 상기 아민(-NH2)기의 상부에 PdCl2-TiO2 층을 형성하는 단계;상기 PdCl2-TiO2 이 형성된 상기 베이스 기판을 소결하여, 상기 베이스 기판의 상부에 PdO-TiO2 층을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기판의 상부의 PdO-TiO2 층을 환원처리하여, 상기 베이스 기판의 상부에 Pd-TiO2 층을 형성하는 단계를 포함하는 방열 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 베이스 기판의 상부에 Pd-TiO2 층을 형성하는 단계 이후,상기 Pd-TiO2 층의 상부에 회로패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 방열 기판의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 베이스 기판의 상부에 히드록실기(-OH)를 형성하는 단계는,상기 베이스 기판을 질산(HNO3, nitric acid) 용액 또는 피라나 용액(Piranha solution)에 침지하여 진행하며,상기 베이스 기판은 질화규소(Si3N4) 기판인 것을 특징으로 하는 방열 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 베이스 기판의 상부에 아민(-NH2)기를 형성하는 단계는,상기 히드록실기(-OH)가 형성된 상기 베이스 기판의 표면을 APTES ((3-Aminopropyl)triethoxysilane) 용액으로 반응시켜, 상기 APTES의 에톡시실란기와 상기 히드록실기(-OH)를 결합시킴으로써, 상기 베이스 기판의 표면을 아민(-NH2)기로 치환하는 것인 방열 기판의 제조방법
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