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복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재

  • 기술번호 : KST2019000512
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘을 포함하는 전구체 가스 및 산소를 함유하는 분위기에서 플라즈마 처리를 수행하여 기판의 적어도 일부 상에 상기 SiO2 및 SiO를 포함하는 상기 복합실리콘산화막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 복합실리콘산화막의 Si2p XPS 분석 결과, SiO2 피크(peak) 면적 대비 SiO 피크(peak) 면적의 비(SiO2 피크 면적/SiO 피크 면적)가 1.85 보다 크고 2.55 보다 작은 값을 갖는 복합실리콘산화막 형성방법, 이를 이용한 복합실리콘산화막 및 이를 이용한 투습방지부재를 제공한다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01)
CPC C23C 16/401(2013.01) C23C 16/401(2013.01) C23C 16/401(2013.01)
출원번호/일자 1020170098628 (2017.08.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1977885-0000 (2019.05.07)
공개번호/일자 10-2019-0014756 (2019.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20190513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권정대 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 이지훈 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 송명관 대한민국 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0751422-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0089842-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0466342-77
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.09.06 무효 (Invalidation) 1-1-2018-0886508-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0891836-20
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0891837-76
9 보정요구서
Request for Amendment
2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0146630-41
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0163303-70
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0142261-02
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0321927-53
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0321928-09
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0288824-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SiO2 및 SiO를 포함하는 복합실리콘산화막 형성방법으로서,실리콘을 포함하는 전구체 가스 및 산소를 함유하는 분위기에서 플라즈마 처리를 수행하여 기판의 적어도 일부 상에 상기 SiO2 및 SiO를 포함하는 상기 복합실리콘산화막을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 복합실리콘산화막의 Si2p XPS 분석 결과, SiO2 피크(peak) 면적 대비 SiO 피크(peak) 면적의 비(SiO2 피크 면적/SiO 피크 면적)가 1
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 복합실리콘산화막은 단일층 구조를 포함하며, 상기 단일층은 상기 SiO2 및 SiO가 서로 혼합된 것인,복합실리콘산화막 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 실리콘을 포함하는 전구체 가스 및 산소를 함유하는 분위기는 헬륨(He)을 더 함유하는, 복합실리콘산화막 형성방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
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10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 신재생에너지기술개발사업 양면발전 효율 8.5% 투과도 20%를 갖는 다양한 색상 구현이 가능한 박막 실리콘 기반 완전투광형 투명 태양전지 기술 개발(1/3)