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탈취금형 및 이것의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000528
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일면에 블레이드와 가공홈이 형성된 베이스 플레이트의 타면에 형성된 PR층에 노광 및 현상하여 상기 가공홈 형성 위치에 대응하는 상기 PR층을 제거하고, 상기 PR층이 제거된 상기 베이스 플레이트의 타면을 일정 두께로 제거하여 칩 배출 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하여, 비교적 간단하고 용이한 작업을 통하여 단시간에 탈취금형을 제작하여 비용 절감까지 도모할 수 있도록 한 탈취금형 및 이것의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL B23P 15/24 (2006.01.01) B23P 23/04 (2006.01.01) B26F 1/44 (2006.01.01) G03F 7/34 (2006.01.01) G03F 7/32 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) C02F 1/02 (2006.01.01)
CPC B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01) B23P 15/24(2013.01)
출원번호/일자 1020170091807 (2017.07.20)
출원인 류기택, 부산대학교 산학협력단, 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단, (주)파인테크, 박형근, 서동주
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0009890 (2019.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.20)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 류기택 대한민국 경기도 평택시 평남로 *** ,
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
3 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단 대한민국 부산광역시 금정구
4 (주)파인테크 대한민국 경기도 화성시
5 박형근 대한민국 서울특별시 강남구
6 서동주 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류기택 대한민국 경기도 평택시 평남로 *** ,
2 박형근 대한민국 서울특별시 강남구
3 서동주 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 김광호 부산광역시 해운대구
5 강명창 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0695182-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208525-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208497-55
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-1262281-04
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208499-46
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1296765-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0006793-12
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0220917-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0317218-51
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0317219-07
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0276065-13
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0528942-82
13 법정기간연장승인서
2019.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0085825-17
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0639266-06
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0639265-50
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0504801-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2020-5020111-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 플레이트의 일면상에 블레이드를 형성하여 양각금형을 가공하는 제1 단계;상기 블레이드에 의하여 형성되는 내부 영역에 가공홈을 형성하는 제2 단계;상기 베이스 플레이트의 타면에 형성된 PR층(Photoresist layer)에 노광 및 현상하여 상기 가공홈이 형성된 위치에 대응하는 상기 PR층을 제거하는 제3 단계; 및상기 PR층이 제거된 상기 베이스 플레이트의 타면을 일정 두께로 제거하여 칩 배출 슬롯을 형성하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제2 단계에서는,상기 내부 영역에 있어서 상기 베이스 플레이트의 일면과 상기 블레이드의 하단부가 맞닿아 형성되는 영역의 면적보다 크게 상기 가공홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제2 단계에서 상기 가공홈은 CNC 가공에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제2 단계에서,상기 가공홈은 상기 베이스 플레이트의 일면으로부터 일정 두께로 함몰 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제2 단계는,상기 PR층을 상기 베이스 플레이트의 타면에 형성하기 전에 상기 베이스 플레이트의 일면에 마스킹(masking) 작업을 실시하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 PR층은,에어 스프레이로 상기 PR액을 상기 베이스 플레이트의 타면에 분사하여 접착시킨 후 상기 베이스 플레이트를 가열 건조시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 PR층은,상기 PR액에 상기 베이스 플레이트의 타면을 침지시킨 후 상기 베이스 플레이트를 가열 건조시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 노광은 상기 베이스 플레이트의 타면을 향하여 레이저 빔을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 노광은 상기 베이스 플레이트의 타면에 마스킹 필름을 적용하고 레이저 빔을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 제4 단계에서,상기 칩 배출 슬롯은 상기 베이스 플레이트의 타면으로부터 상기 가공홈을 개방시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 칩 배출 슬롯은,기계적 연마, 화학 연마, 에칭 중 어느 하나에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 에칭은,가스, 플라즈마, 이온 빔 및 화학적 에칭 중 어느 하나를 이용 가능한 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
13 13
일면에 블레이드와 가공홈이 형성된 베이스 플레이트의 타면에 형성된 PR층에 노광 및 현상하여 상기 가공홈 형성 위치에 대응하는 상기 PR층을 제거하고, 상기 PR층이 제거된 상기 베이스 플레이트의 타면을 일정 두께로 제거하여 칩 배출 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하는 탈취 금형의 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 블레이드에 의하여 형성되는 내부 영역에 있어서 상기 베이스 플레이트의 일면과 상기 블레이드의 하단부가 맞닿아 형성되는 영역의 면적보다 크게 상기 가공홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 탈취 금형의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 가공홈은 CNC 가공에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
16 16
청구항 13에 있어서,상기 가공홈은 상기 베이스 플레이트의 일면으로부터 일정 두께로 함몰 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
17 17
청구항 13에 있어서,상기 PR층을 상기 베이스 플레이트의 타면에 형성하기 전에 상기 베이스 플레이트의 일면에 마스킹(masking) 작업을 추가적으로 실시하는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
18 18
청구항 13에 있어서,상기 PR층은,에어 스프레이로 상기 PR액을 상기 베이스 플레이트의 타면에 분사하여 접착시킨 후 상기 베이스 플레이트를 가열 건조시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
19 19
청구항 13에 있어서,상기 PR층은,상기 PR액에 상기 베이스 플레이트의 타면을 침지시킨 후 상기 베이스 플레이트를 가열 건조시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
20 20
청구항 13에 있어서,상기 노광은 상기 베이스 플레이트의 타면을 향하여 레이저 빔을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
21 21
청구항 13에 있어서,상기 노광은 상기 베이스 플레이트의 타면에 마스킹 필름을 적용하고 레이저 빔을 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
22 22
청구항 13에 있어서,상기 칩 배출 슬롯은 상기 베이스 플레이트의 타면으로부터 상기 가공홈을 개방시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
23 23
청구항 22에 있어서,상기 칩 배출 슬롯은,기계적 연마, 화학 연마, 에칭 중 어느 하나에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
24 24
청구항 23에 있어서,상기 에칭은,가스, 플라즈마, 이온 빔 및 화학적 에칭 중 어느 하나를 이용 가능한 것을 특징으로 하는 탈취금형의 제조 방법
25 25
청구항 1 내지 청구항 24 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의하여 제조된 탈취금형
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2019017542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2019017542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 과학기술정보통신부 하이브리드 인터페이스기반 미래소재연구단 글로벌프론티어사업 하이브리드 인터페이스 원천기반공정 및 신기능 소재 부품 개발