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전분을 산처리하여 예비 전분 나노입자로 분해하는 단계;상기 예비 전분 나노입자를 가교결합시키는 단계;가교결합된 상기 예비 전분 나노입자를 초음파 처리하여 분산시키는 단계; 및분산된 상기 예비 전분 나노입자를 동결 건조시키는 단계를 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 초음파 처리는 15분 내지 60분 동안 수행되는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전분을 산처리하는 단계는 상기 전분을 산과 반응시켜 가수분해시키는 단계를 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 전분을 산처리하는 단계는 가수분해된 상기 전분을 염기로 중화시키는 단계를 더 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 산은 염산, 황산, 탄산, 구연산, 초산 및 젖산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 가교결합은 상기 예비 전분 나노입자에 가교결합제 및 염기를 첨가하여 수행되는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 가교결합된 상기 예비 전분 나노입자에 산을 첨가하여 중화시키는 단계를 더 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 가교결합제는 소듐 트리메타포스페이트 및 소듐 트리폴리포스페이트로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 전분은 찹쌀전분, 찰옥수수전분, 밀전분, 쌀전분, 옥수수전분, 타피오카전분, 고구마전분 및 감자전분으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 저항전분 나노입자의 크기는 20 내지 300 nm로 조절되는, 저항전분 나노입자의 제조 방법
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