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반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019000614
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 TMD 박막을 형성하는 단계; 상기 TMD 박막 상부에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 TMD 박막의 상전이를 위한 부분을 노출시키기 위하여 상기 마스크층을 제거하는 단계; 플라즈마를 발생하는 단계; 상기 마스크층이 제거되어 노출된 상기 TMD 박막에 대하여 상기 플라즈마로부터 가속 이온을 충돌시키는 단계; 상기 TMD 박막의 금속성 부분에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01) H01L 21/28568(2013.01)
출원번호/일자 1020170096592 (2017.07.29)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-1972739-0000 (2019.04.20)
공개번호/일자 10-2019-0012891 (2019.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20190425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태완 대한민국 대전광역시 유성구
2 이효창 대한민국 세종특별자치시 달빛*로 *
3 강상우 대한민국 대전광역시 서구
4 김정형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고종욱 대한민국 대전광역시 서구 둔산중로 ***, **층 ****호 (둔산동, 주은오피스텔)(고유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0733483-11
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0111102-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0138949-99
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0030901-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0157909-83
10 면담 결과 기록서
2019.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0020957-11
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0260805-27
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0260630-34
13 등록결정서
Decision to grant
2019.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0285730-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 셀레늄(Se) 또는 텔루륨(Te) 중 어느 하나를 포함하는 반도체성 구조상(phase)인 TMD 박막을 형성하는 단계;상기 TMD 박막 상부에 마스크층을 형성하는 단계;상기 TMD 박막의 상전이를 위한 부분을 노출시키기 위하여 상기 마스크층을 제거하는 단계;10 mTorr ~ 100 mTorr 사이의 압력에서 플라즈마를 발생하는 단계;상기 마스크층이 제거되어 노출된 상기 TMD 박막에 대하여 상기 플라즈마로부터 가속 이온을 충돌시키는 단계;상기 TMD 박막의 금속성 부분에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 TMD 박막은 단일층의 2차원 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극은 본딩 와이어인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
6 6
제 1 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항의 반도체 소자의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기본사업 한국표준과학연구원 기관고유사업 3-3-1 차세대 초박막 공정용 측정기술 개발