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환원된 산화그래핀; 및상기 환원된 산화그래핀 상에 부착된 산화아연 나노입자를 포함하며, 상기 산화아연 나노입자는,평균직경이 5 내지 30 nm 인 나노구형인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매
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산화그래핀 현탁액에 아연전구체를 첨가한 후 교반하여 제1교반물을 준비하는 단계; 상기 제1교반물을 원심분리하여 수득한 제1침전물을 건조하는 단계; 상기 건조된 제1침전물을 열처리하여 산화아연 씨앗(ZnO seeds)이 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체를 준비하는 단계; 상기 나노복합체를 무수에탄올, 탈이온수 또는 이들의 조합으로 이루어진 산화아연 씨앗 성장용매에 첨가하는 단계; 상기 나노복합체가 첨가된 산화아연 씨앗 성장용매에 아연전구체와 환원제를 첨가하고 교반하여 제2교반물을 준비하는 단계; 상기 제2교반물을 열처리한 후 냉각시키고 원심분리하여 제2침전물을 수득하는 단계; 및 상기 제2침전물을 세척한 후 건조하여 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매를 제조하는 단계;를 포함하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 아연전구체는,초산아연(zinc acetate), 질산아연(zinc nitrate), 황산아연(zinc sulfate), 인산아연(zinc phosphate), 불화아연(zinc fluoride), 염화아연(zinc chloride) 및 요오드화아연(zinc iodate)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1교반물을 원심분리하여 수득한 제1침전물을 건조하는 단계는,제1교반물을 10,000 내지 15,000 rpm으로 원심분리하여 수득한 제1침전물을 20 내지 30℃에서 건조하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 산화아연 씨앗이 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체를 준비하는 단계는,상기 건조된 제1침전물을 250 내지 350℃에서 30 내지 90분 동안 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 무수에탄올과 탈이온수로 이루어진 산화아연 씨앗 성장용매는,무수에탄올과 탈이온수가 1 : (0 ~ ∞)의 부피비로 이루어진 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 환원제는,헥사메틸렌테트라민(HMTA)인 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제2침전물을 수득하는 단계는,제2교반물을 100 내지 110℃에서 12 내지 36시간 동안 열처리한 후 냉각시키고 6,500 내지 7,500 rpm에서 3 내지 10분 동안 원심분리 하여 제2침전물을 수득하는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 산화아연 나노입자는,나노구형, 나노육각판, 또는 나노막대 중 어느 하나의 나노형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 산화아연 나노입자가 부착된 환원된 산화그래핀 나노복합체 광촉매 제조방법
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