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양자점 태양 전지용 광활성층의 제조 방법 및 양자점 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000678
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법은 용액 치환법으로 양자점 용액을 치환하여 양자점 잉크를 형성하는 단계, 기판 상에 Pb를 포함하는 상기 양자점 잉크를 스프레이 코팅하여 양자점층을 형성하는 단계, 및 상기 양자점층을 후처리하여 광활성층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01)
출원번호/일자 1020170088300 (2017.07.12)
출원인 현대자동차주식회사, 기아자동차주식회사, 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0007204 (2019.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송미연 대한민국 서울특별시 중랑구
2 이갑종 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 장성연 대한민국 경기도 남양주시 순화궁로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0665802-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5150878-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5179063-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5148973-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5150191-76
6 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0653313-07
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
용액 치환법으로 양자점 용액을 치환하여 양자점 잉크를 형성하는 단계;기판 상에 Pb를 포함하는 상기 양자점 잉크를 스프레이 코팅하여 양자점층을 형성하는 단계; 및상기 양자점층을 후처리하여 광활성층을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는상기 양자점층을 PbI2 리간드 용액으로 후처리하는 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는상기 양자점층을 후처리 한 후, 상기 리간드 용액을 80 내지 100℃에서 30초 내지 90초 동안 건조하는 단계를 더 포함하는 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는용매 증기 소킹법(Solvent vapor soaking)으로 30초 내지 250초 동안 수행되는 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 용매 증기 소킹법은다이메틸포름아미드(Dimethylformamide) 또는 다이메틸포름아미드(Dimethylformamide) 및 부틸아민(Butylamine)의 혼합 용매로 수행되는 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 광활성층을 형성하는 단계는딥코팅법(Dip coating), 드롭핑(Dropping), 또는 스핀 코팅법(Spin coating)으로 수행되는 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 양자점 용액은 다이메틸포름아미드(Dimethylformamide) 및 부틸아민(Butylamine)을 용매로 포함하고, 상기 다이메틸포름아미드 및 상기 부틸아민의 중량% 비율은 1:100 내지 1:300인 것인 양자점 태양 전지용 광활성층 제조 방법
8 8
양극을 제공하는 단계;상기 양극 상에 상기 제1항에 의해 제조된 상기 광활성층을 제공하는 단계; 및상기 광활성층 상에 음극을 제공하는 단계;를 포함하는 양자점 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.