| 1 |
1
(a) 스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여 박막을 형성하는 단계; 및(b) 상기 기판 상에 증착된 전이금속 칼코겐화합물 박막에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계에서 기판 상에 분말 상태의 칼코겐 원소를 배치하여, 전자빔 조사에 의해 상기 분말 상태의 칼코겐 원소를 기화시켜 전이금속 칼코겐화합물 박막에 증기 형태의 칼코겐 원소를 공급하는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
|
| 2 |
2
(a) 스퍼터링 공정을 이용하여, 기판 상에 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여 박막을 형성하는 단계; 및(b) 상기 기판 상에 증착된 전이금속 칼코겐화합물 박막에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계 또는 (b) 단계에서 불활성 가스 및 칼코겐 원소 함유 가스를 주입하며,상기 (a) 단계에서 플라즈마가 형성되고, 상기 플라즈마 형성 시 (b) 단계의 전자빔을 조사하면, 칼코겐 원소 함유 가스가 해리되어 상기 전이금속 칼코겐화합물 박막에 증착되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 600℃ 이하의 기판 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 칼코겐화합물 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~20W, 공정 압력 20mTorr 이하에서 수행되고,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~300W, DC 전압 50~3000V, 조사 시간 0
|
| 6 |
6
제2항에 있어서,상기 (a) 단계 또는 (b) 단계에서, 불활성 가스 및 칼코겐 원소 함유 가스 총 100부피%에 대하여, 칼코겐 원소 함유 가스 0
|
