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1차 입자, 및 상기 1차 입자가 응집된 2차 입자를 포함하고, 상기 2차 입자는, 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나, 리튬, 및 도핑 금속을 포함하되, 상기 도핑 금속에 의해 상기 1차 입자의 종횡비가 증가된 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 도핑 금속은, 지르코늄, 티타늄, 텅스텐, 몰리브덴, 니오븀, 탄탈륨, 비스무트, 루테늄, 마그네슘, 아연, 갈륨, 바나듐, 크롬, 칼슘, 스트론튬, 또는 주석 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 1차 입자의 길이는 1㎛ 이상이고, 폭은 약 100nm 이하인 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 1차 입자는, 상기 2차 입자의 중심에서, 상기 2차 입자의 표면을 향하여 연장하는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 복수의 상기 1차 입자 사이에, 리튬 이온의 이동 통로가 제공되는 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, spinel defect와 함께 twinned R-3m phase를 갖는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상기 2차 입자의 중심의 밀도가 상기 2차 입자의 가장자리의 밀도보다 높은 것을 포함하는 양극활물질
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제1 항에 있어서, 상대적으로 상기 2차 입자의 중심에 인접한 상기 1차 입자와 비교하여, 상대적으로 상기 2차 입자의 표면에 인접한 상기 1차 입자의 종횡비가 더 큰 것을 포함하는 양극활물질
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1차 입자, 및 상기 1차 입자가 응집된 2차 입자를 포함하되, 상기 1차 입자의 길이가 1㎛ 이상인 것을 포함하는 양극활물질
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제9 항에 있어서, 상기 1차 입자는 니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나, 리튬, 및 도핑 금속을 포함하고, 상기 도핑 금속에 의하여 상기 1차 입자의 종횡비가 증가되고, 상기 2차 입자의 표면의 적어도 일부를 덮고, 상기 리튬 및 상기 도핑 금속의 산화물을 포함하는 코팅층을 더 포함하는 양극활물질
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제9 항에 있어서, 상기 1차 입자는 로드 쉐입을 갖는 것을 포함하는 양극활물질
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니켈, 코발트, 망간, 또는 알루미늄 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 베이스 수용액, 및 도핑 금속을 포함하는 도핑 수용액을 반응기제 제공하여, 도핑 금속이 도핑된 양극활물질 전구체를 제조하는 단계; 및상기 도핑 금속이 도핑된 상기 양극활물질 전구체 및 리튬 염을 혼합 및 소성하여, 양극활물질을 제조하는 단계를 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 양극활물질은, 1차 입자, 및 상기 1차 입자가 응집된 2차 입자를 포함하고, 상기 양극활물질을 제조하는 단계는, 상기 양극활물질 전구체 및 리튬 염을 혼합 및 소성하는 과정에서 상기 리튬염의 농도를 조절하여, 리튬 및 상기 도핑 금속의 산화물을 포함하고 상기 2차 입자의 표면의 적어도 일부를 덮는 코팅층을 형성하는 것을 포함하는 양극활물질의 제조 방법
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