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이산화티타늄을 가지는 단일층 필름의 제조방법 및 이를 이용하는 광 검출기

  • 기술번호 : KST2019000737
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중공 구조의 이산화티타늄 단일층으로 구성된 이산화티타늄 필름 및 이를 이용하는 광 검출기가 개시된다. 중공 구조를 형성하기 위해 탬플릿 형태의 고분자 구체가 이용되고, 단일층의 형성을 위해 상부 필름으로부터 외력이 인가된다. 제조된 필름 또는 제조방법은 광 검출기의 제작에 이용된다.
Int. CL C08J 5/18 (2006.01.01) C08K 7/24 (2006.01.01) C08K 3/22 (2006.01.01) G02B 5/20 (2006.01.01)
CPC C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170098418 (2017.08.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1978563-0000 (2019.05.08)
공개번호/일자 10-2019-0014670 (2019.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20190514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신동수 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0749842-17
2 보정요구서
Request for Amendment		 2017.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0113739-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0795952-54
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0008453-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0092908-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0345397-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0345396-60
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0305226-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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기판;상기 기판 상에 형성된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성된 그래핀층; 및상기 그래핀층 상에 형성되고, n형의 도전형 및 중공 구조를 가지며, 단일층으로 형성된 이산화티타늄 단일층을 포함하는 광 검출기
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제5항에 있어서, 상기 p형 반도체층은 Mg을 도판트로 이용하는 p-GaN층이며, 상기 기판의 결정구조에 따라 에피텍셜 성장된 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제5항에 있어서, 상기 이산화티타늄 단일층은 상기 그래핀층 상에 형성된 고분자 기재층에 이산화티타늄 입자들을 형성하고, 외력의 인가에 의해 상기 이산화티타늄 입자들의 단일층을 형성한 후, 어닐링 공정을 통해 상기 고분자 기재층의 연소에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제5항에 있어서, 상기 이산화티타늄 단일층은 고분자 기재 및 상기 이산화티타늄 단일층으로 구성된 이산화티타늄 필름을 상기 그래핀층 상에 형성한 후, 상기 고분자 기재의 연소에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 광 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 신진연구지원사업 / 신진연구(후속연구) 고효율 수직형 발광 다이오드 개발을 위한 주기적 극성반전 나노하이브리드 구조 응용에 관한 연구