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고감도 침습형 다공성 뇌전극, 이의 제조방법 및 이를 이용한 뇌파측정방법

  • 기술번호 : KST2019000837
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공성 뇌전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로 설명하면, 뇌전극의 표면에 마이크로 크기 내지 나노크기의 홀을 형성시켜서 비표면적을 극대화시킴으로써, 임피던스를 크게 낮춘 고감도 침습형 다공성 뇌전극, 이를 제조하는 방법 및 뇌파측정방법에 관한 것이다.
Int. CL A61B 5/0478 (2006.01.01)
CPC A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01) A61B 5/0478(2013.01)
출원번호/일자 1020170092787 (2017.07.21)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0010252 (2019.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 인수일 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***(대구
2 김혜림 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***(대구
3 이승현 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***(대구
4 이경석 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***(대구
5 최한샘 대한민국 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***(대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0703249-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0120240-38
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0325652-96
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0325651-40
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0436358-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0750193-98
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.07.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0750192-42
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0539821-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면 넓이 100㎛2당 5 ~ 20개의 홀(hole)을 표면에 포함하고뇌파전극의 표면에 묻어난 메틸렌 블루 용액의 양을 측정한 뒤, 비표면적을 계산해 내는 방법에 의거하여 측정시, 비표면적 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 다공성 뇌전극은 핀(fin)형 전극 또는 나사(screw)형 전극인 것을 특징으로 하는 고감도 침습형 다공성 뇌전극
3 3
제1항에 있어서, 상기 홀은 평균지름이 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 홀은 평균깊이가 1㎛ ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 고감도 침습형 다공성 뇌전극
5 5
제1항 내지 제4항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,다공성 뇌전극의 표면에 묻어난 메틸렌 블루 용액의 양을 측정한 뒤, 비표면적을 계산해 내는 방법에 의거하여 측정시, 비표면적 0
6 6
제5항에 있어서, EDS(Energy Dispersive Spectrometer) 측정 시철(Fe) 45 at% ~ 46 at%, 크롬(Cr) 17 at% ~ 19 at%, 탄소(C) 30 at% ~ 34 at%, 니켈(Ni) 2 at% ~ 3 at% 및 알루미늄(Al) 1
7 7
뇌전극을 양극산화처리공정을 수행하여 뇌전극 표면에 다공성 구조를 형성시키는 것을 특징으로 하는 고감도 침습형 다공성 뇌전극의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 양극산화처리공정은상기 뇌전극 및 탄소전극을 포함하는 전해액 내에 수행하고, 상기 뇌전극은 (+)극으로서 사용하고, 상기 탄소전극은 (-)극으로서 사용하며, 30분 ~ 2시간 동안 20V ~ 38V의 직류를 가하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고감도 침습형 다공성 뇌전극의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 전해액은 플루오린화 암모늄 0
10 10
제1항 내지 제4항 중에서 선택된 어느 한 항의 침습형 다공성 뇌전극으로 뇌피질의 전기적 신호를 수신하여 뇌피질 뇌파를 측정하는 것을 특징으로 하는 뇌파측정방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 대구경북과학기술원연구운영비지원 전기적 방법에 의한 뇌손상 재활 및 대체 기술 개발
2 한국한의학연구원 대구경북과학기술원 한국한의학연구원 주요사업 침 소재 및 나노구조 개발을 통한 득기 발현강화 연구