| 1 |
1
금속전극이 증착된 기판상에 3 내지 15 nm의 두께를 갖는 안티몬(Sb)층을 형성하는 단계;상기 안티몬(Sb)층 상에 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 금속 전구체층을 포함하는 제1 박막층을 형성하는 단계;상기 제1 박막층 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S) 금속 전구체층 및 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 화합물층 중 적어도 1종을 포함하는 제2 박막층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 안티몬(Sb) 층, 제1 박막층 및 제2 박막층을 350℃ 내지 450℃의 온도에서 열처리하여 갈륨(Ga)이 균일하게 분포된 CIGS 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 박막층은구리/인듐/갈륨, 구리/갈륨/인듐, 인듐/구리/갈륨, 인듐/갈륨/구리, 갈륨/구리/인듐 및 갈륨/인듐/구리 중 하나의 적층순서로 구리, 인듐 및 갈륨 금속 전구체층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 열처리는셀레늄(Se) 또는 황(S)이 공급되는 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 CIGS 흡수층은인듐(In) 및 갈륨(Ga)에 대한 구리(Cu)의 조성비가 0
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제조방법은상기 흡수층 상에 버퍼층(buffer layer)을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제조방법은상기 버퍼층(buffer layer) 상에 윈도우층(window layaer)을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
