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나노입자가 삽입된 Bi 열전 나노와이어 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019000867
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 또는 금속 산화물 나노입자가 삽입된 Bi 나노와이어를 포함하는 열전 나노와이어 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170088395 (2017.07.12)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0007222 (2019.01.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울특별시 서대문구
2 노종욱 대한민국 서울특별시 서대문구
3 이현숙 대한민국 서울특별시 서대문구
4 문홍재 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0666499-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 또는 금속 산화물 나노입자가 삽입된 Bi 나노와이어를 포함하는열전 나노와이어
2 2
제1항에 있어서,상기 금속은 Al계, Fe계 및 Ni계로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인열전 나노와이어
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노와이어 내 상기 나노입자의 농도는 1/1000 nm-3 내지 1/10 nm-3인열전 나노와이어
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노와이어는 단결정 또는 단결정인열전 나노와이어
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노입자는 상기 나노와이어와 반응하지 않고 존재하는열전 나노와이어
6 6
기판 상에 금속 또는 금속 산화물 나노입자를 분산시키는 단계; 상기 나노입자가 분산된 기판 상에 Bi 박막을 형성시키는 단계; 및 상기 형성된 Bi 박막을 열처리하여 Bi 나노와이어를 형성시킴과 동시에, 상기 나노입자를 상기 나노와이어 내로 삽입시키는 단계를 포함하는 열전 나노와이어의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 연세대학교 중견연구자지원사업 중저온 열에너지 하베스팅을 위한 나노선-번들기반 초고효율 열전모듈 개발