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이중 밴드 완전흡수 메타물질을 이용한 적외선 스텔스 소자

  • 기술번호 : KST2019000895
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적외선 스텔스 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 이중 밴드 완전흡수 메타물질을 이용한 적외선 스텔스 소자에 관한 것이다. 이를 위해 적외선 스텔스 소자는 제1금속층; 상기 제1금속층 상부에 형성된 절연체층; 및 상기 절연체층 상부에 형성된 제2금속층;을 포함하되, 상기 제2금속층은, 금속 링(ring); 및 금속 점(dot); 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL F41H 3/00 (2006.01.01) G02B 1/00 (2006.01.01) B32B 9/04 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020187037760 (2017.12.15)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0015725 (2019.02.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2017/014795 (2017.12.15)
국제공개번호/일자 WO2018131805 (2018.07.19)
우선권정보 대한민국  |   1020170004286   |   2017.01.11
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한재원 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤병국 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)
2 이영규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***길, **, *층 (대치동, 삼호빌딩)(지성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act
2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1307716-97
2 수리안내서
Notice of Acceptance
2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0008547-91
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0791483-75
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-1361668-83
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.12.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1361669-28
6 등록결정서
Decision to grant
2020.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0354876-45
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번호 청구항
1 1
제1금속층;상기 제1금속층 상부에 형성된 절연체층; 및상기 절연체층 상부에 형성된 제2금속층;을 포함하되,상기 제2금속층은,금속 링(ring)이거나, 또는 상기 금속 링(ring)의 중심에 금속 점(dot)이 위치하는 것임을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 링 및 금속 점은 복수 개로 이루어진 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
4 4
제3항에 있어서,인접한 금속 점 사이의 거리(a0)는 상기 절연체층과 제2금속층의 유전율에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1금속층 및 제2금속층은 동일한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 제1금속층 및 제2금속층은 서로 다른 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
7 7
제5항에 있어서,상기 제1금속층 및 제2금속층은 은(Ag)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 제1금속층의 두께는 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 절연체층은,실리카(SiO2) 또는 폴리이미드(polyimide)로 형성된 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 절연체층의 두께는 0
11 11
제1항에 있어서,상기 제2금속층의 표면은 유전체 박막층에 의해 코팅된 것을 특징으로 하는, 적외선 스텔스 소자
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