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입력 펄스 전압을 인가받는 입력부;상기 입력부로부터 입력 펄스 전압을 수신하고, 상기 입력 펄스 전압을 전압분배법칙에 의하여 증분 펄스 전압(Incremental pulses)으로 변환하여 출력하는 변환부;상기 변환부로부터 증분 펄스 전압을 수신하고, 증분 펄스 전압에 따라 출력전류량이 변화하는 출력부를 포함하는 가중치 회로
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제1항에 있어서,상기 변환부는,일단이 상기 입력부에 연결된 제1 저항; 및일단이 상기 제1 저항과 직렬로 연결되고 타단이 접지된 저항 메모리소자를 포함하는 가중치 회로
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제2항에 있어서,상기 저항 메모리소자는 상기 입력 펄스 전압의 수신 횟수에 비례하여 저항값이 증가하고,상기 저항 메모리소자의 저항값 변화에 따라 상기 제1 저항과 상기 저항 메모리 소자에 인가되는 전압 분배가 변화하는 것을 특징으로 하는 가중치 회로
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제2항에 있어서,상기 저항 메모리소자는 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 저항변화층;상기 저항변화층 상에 형성되고 상기 저항변화층의 일부를 전기적으로 절연하여 활성 영역을 정의하는 분리층; 및상기 분리층 및 상기 저항변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 가중치 회로
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제4항에 있어서,상기 저항변화층은 PCMO 층이고,상기 상부전극은 상기 저항변화층 상에 형성된 제1 금속층; 및상기 제1 금속층 상에 형성된 제2 금속층을 포함하고,상기 제1 금속층은 그 산화물의 깁스 자유 에너지가 상기 PCMO의 깁스 자유 에너지보다 낮은 금속을 포함하는것을 특징으로 하는 가중치 회로
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제1항에 있어서,상기 출력부는 전계효과 트랜지스터를 포함하고,상기 전계효과 트랜지스터는 활성 영역; 상기 활성 영역의 일단에 연결되는 소오스 전극; 상기 활성 영역의 타단에 연결되는 드레인 전극; 상기 활성 영역 상에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하고,상기 게이트 전극은 저항변화 메모리 소자와 병렬로 연결되어 상기 저항변화 메모리 소자에 인가되는 전압과 동일한 크기의 전압이 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압으로 인가되는 것을 특징으로 하는 가중치 회로
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입력부, 변환부, 출력부를 포함하는 가중치 회로의 동작 방법에 있어서,상기 입력부에서 수신한 입력 펄스 전압을 발화부로 송신하는 단계;상기 변환부에서 상기 입력 펄스 전압을 상기 입력 펄스 전압을 전압분배법칙에 의하여 증분 펄스 전압으로 변환하고 상기 출력부로 송신하는 단계; 및상기 출력부에서 상기 증분 펄스 전압의 크기에 따라 출력 전류량을 변화시키는 단계를 포함하는 가중치 회로의 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 출력부는 전계효과 트랜지스터를 포함하고,상기 전계효과 트랜지스터의 문턱전압 이하 영역에서 동작하는 것을 특징으로 하는 가중치 회로의 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 변환부는 제1 저항 및 일단이 제1 저항과 연결되고 타단이 접지된 저항 메모리소자를 포함하고,상기 저항 메모리소자는 상기 입력 펄스 전압의 수신 횟수에 비례하여 저항값이 증가하고,상기 저항 메모리소자의 저항값 변화에 따라 상기 제1 저항과 상기 저항 메모리 소자에 인가되는 전압 분배가 변화하는 것을 특징으로 하는 가중치 회로의 동작 방법
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