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페로브스카이트 태양전지의 정공전달층에 사용하기 위한 것이고, 하기 구조식 1로 표시되고 비대칭 알킬기를 포함하는 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,R1 및 R2는 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C2 내지 C16의 직쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,R1 및 R2는 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C2 내지 C10의 직쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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제3항에 있어서,R1이 에틸기이고, R2가 데칸기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,R1의 탄소원자 수와 R2의 탄소원자 수의 합이 8 내지 16인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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제1항에 있어서,R1의 탄소원자의 수와 R2의 탄소원자의 수의 차이가 6 내지 10인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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하기 구조식 2로 표시되는 단량체와 하기 구조식 3으로 표시되는 단량체를 중합하여 하기 구조식 1로 표시되는 비대칭 알킬기를 포함하는 유기 반도체 화합물을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 유기 반도체 화합물은 페로브스카이트 태양전지의 정공전달층에 사용하기 위한 것인 비대칭 알킬기를 포함하는 유기 반도체 화합물의 제조방법:[구조식 1]상기 구조식 1에서,X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소 원자이고,R1 및 R2는 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C2 내지 C20의 직쇄형 알킬기이고,R1의 탄소원자 수와 R2의 탄소원자 수의 합이 6 내지 20이고,R1의 탄소원자의 수와 R2의 탄소원자의 수의 차이가 4 내지 14이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C10 내지 C20의 직쇄형 알킬기, 또는 C10 내지 C20의 분쇄형 알킬기이고,Q1 및 Q2는 서로 같거나 다르고, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로, 또는 이고,R5 내지 R9는 서로 같거나 다르고, R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자, C6 내지 C20의 직쇄형 알킬기, 또는 C6 내지 C20의 분쇄형 알킬기이고,n은 반복단위의 반복수이고,수평균분자량(Mn)은 3,000 내지 500,000이고, [구조식 2]상기 구조식 2에서,X1 및 X2는 각각 독립적으로 산소 원자이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, R3 및 R4는 각각 독립적으로 C10 내지 C20의 직쇄형 알킬기, 또는 C10 내지 C20의 분쇄형 알킬기이고,[구조식 3]상기 구조식 3에서,Y1 및 Y2는 서로 다르고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 F, Cl, Br 또는 I 이고,R1 및 R2는 서로 다르고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C2 내지 C16의 직쇄형 알킬기이고,R1의 탄소원자 수와 R2의 탄소원자 수의 합이 6 내지 20이고,R1의 탄소원자의 수와 R2의 탄소원자의 수의 차이가 4 내지 14이고,Q1 및 Q2는 서로 같거나 다르고, Q1 및 Q2는 각각 독립적으로, 또는 이고,R5 내지 R9는 서로 같거나 다르고, R5 내지 R9는 각각 독립적으로 수소원자, C6 내지 C20의 직쇄형 알킬기, 또는 C6 내지 C20의 분쇄형 알킬기이다
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제10항에 있어서,R1의 탄소원자와 R2의 탄소원자의 차이가 6 내지 10인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물의 제조방법
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 전자전달층;상기 전자전달층 상에 형성되고 페로브스카이트층을 포함하는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 형성된 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하고,상기 정공전달층은 제1항의 유기반도체 화합물을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
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제13항에 있어서,상기 전자전달층이 결정화된 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제13항에 있어서,상기 광흡수층이 상기 전자 전달층과 상기 페로브스카이트층 사이에 결정화된 메조다공성 TiO2층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제13항에 있어서,상기 페로브스카이트층이 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제16항에 있어서,상기 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물은 CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), H3NH3PbI3-xClx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수) CH3NH3PbI3-xFx(0≤x≤3인 실수), MA0
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제1항에 따른 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기태양전지
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제1항에 따른 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기박막 트랜지스터
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