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전도성 기판을 식각하여 일정 간격으로 이격된 복수의 로드 생성홀들을 생성하는 전도성 몰드 생성단계;상기 복수의 로드 생성홀들에 나노 압전물질을 충진하여 나노로드들을 생성하는 나노로드 생성단계;상기 로드 생성홀 일측의 상기 전도성 몰드 테두리부에 측면전극 생성부를 마킹하는 측면전극 생성부 표시단계;상기 나노로드와 상기 마킹된 측면전극 생성부 및 이들을 연결하는 전도성 기판 베이스를 제외하고, 나머지 전도성 몰드를 1차 식각하여 나노로드와 측면전극을 생성하는 전도성 몰드 식각단계;상기 전도성 몰드 식각단계를 통해 식각된 부분에 절연재를 충진하는 절연재 충진단계;상기 절연재의 충진에 의해 절연재로 둘러싸인 상기 나노로드 및 측면전극의 일단부가 노출되도록 2차 식각하고, 노출된 나노로드 및 측면전극의 일단부에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계;상기 하부전극이 형성된 표면에 더미기판(dummy substrate)을 접착하는 더미기판 접착단계; 및상기 나노로드와 측면전극을 연결하는 상기 전도성 기판 베이스를 제거하여 노출된 상기 나노로드와 측면전극의 타단부에 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계;를 포함하는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전도성 기판 및 측면전극은 Si, GaAs, InAs, GaN, InN, Ge, ZnO 및 Ga2O3 로 이루어진 군에서 선택된 물질이 포함된 전도성 기판 및 측면전극으로 이루어지는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전도성 기판 및 측면전극은 면저항이 100 Ω/sq 이하인 소재로 이루어진 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 전도성 기판 및 측면전극은 800 내지 1300℃의 소결 온도에서 수축률이 3 내지 5% 이하인 소재로 이루어진 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노로드 생성단계는 상기 전도성 몰드에 분말화된 나노 압전물질을 분사하여 상기 로드 생성홀에 나노 압전물질을 충진하는 나노 압전물질 충진단계;상기 나노 압전물질이 충진된 전도성 몰드에 접착용액을 분사하는 접착용액 분사단계;상기 접착용액이 분사된 전도성 몰드의 로드 생성홀 부분을 가압하여 충진된 나노 압전물질을 밀집시키는 나노 압전물질 가압단계; 및 상기 나노 압전물질 가압단계를 거친 상기 전도성 몰드를 소결하여 상기 나노 압전물질을 소결시키는 나노 압전물질 소결단계;를 포함하는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,상기 나노 압전물질 충진단계는 상기 분말화된 나노 압전물질에 액체 상태의 나노 압전물질 및 기체 상태의 나노 압전물질을 함께 혼합하여 상기 로드 생성홀에 충진하는 것으로 수행되는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노 압전물질은 PZT(PbZrO3)계 화합물, PST(Pb(Sc, Ta)O3계 화합물, 석영, (Pb, Sm)TiO3계 화합물, PMN(Pb(MgNb)O3-PT(PbTiO3)계 화합물, PVDF(Poly(vinylidene fluoride))계 화합물 및 PVDF-TrFe계 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물인 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서의 제조방법에 의해 제조되고, 센서 어레이의 상부전극 및 하부전극을 연결하는 측면전극이 전도성 기판 몰드 전극으로 이루어지는 나노로드 구조를 이용한 초음파 지문센서
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