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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 아지도-고분자막을 제조하고, 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 제조하는 단계(단계 a); 및상기 아지도-고분자막과 상기 이오노포어의 고리화 반응으로 고분자막과 이오노포어를 테더링하는 단계(단계 b)를 포함하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 a의 아지도-고분자막의 제조는,고분자막을 아지도 용액에 침지시키는 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 아지도 용액에 침지시키는 방법은 25 ~ 60 ℃에서 4 ~ 24시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 고분자막은 폴리비닐 클로라이드, 폴리글리시딜 메타크릴레이트, 폴리비닐 알코올, 폴리스티렌 설포네이트 및 폴리 설폰으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 이오노포어는 크라운 에테르인 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 크라운 에테르는 13-크라운-4 에테르, 14-크라운-4 에테르, 16-크라운-5 에테르, 19-크라운-6 에테르, 22-크라운-7 에테르 또는 25-크라운-8 에테르인 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 크라운 에테르는,, , , , , , , 또는인 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 고리화 반응으로 트라이아졸 환을 형성시키는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 고리화 반응은 구리 촉매 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막의 제조방법
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 제조한 아지도-고분자막과, 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 반응시켜, 고분자막과 이오노포어가 트라이아졸 환으로 테더링된 구조로 제조된, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 금속이온 흡착막
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청구항 10에 있어서,상기 고분자막은 폴리비닐 클로라이드, 폴리글리시딜 메타크릴레이트, 폴리비닐 알코올, 폴리스티렌 설포네이트 및 폴리 설폰으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상으로 제조되는 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막
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청구항 10에 있어서,상기 이오노포어는 크라운 에테르인 것을 특징으로 하는 금속이온 흡착막
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 아지도-고분자막을 제조하고, 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 제조하는 단계(단계 a); 및상기 아지도-고분자막과 상기 이오노포어의 고리화 반응으로 고분자막과 이오노포어를 테더링하는 단계(단계 b)를 포함하는, 이오노포어와 테더링된 고분자막의 제조방법
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 제조한 아지도-고분자막과 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 반응시켜 제조한, 이오노포어가 트라이아졸 환으로 테더링된 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 고분자막
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 아지도-고분자막을 제조하고, 말단에 알킨기가 도입된 크라운 에테르를 제조하는 단계 및 상기 아지도-고분자막과 상기 크라운 에테르를 구리 촉매 하에서 반응시켜 트라이아졸 환을 형성시키는 방법으로 고분자막과 크라운에테르를 테더링하는 단계를 포함하되, 상기 크라운 에테르는 13-크라운-4 에테르 또는 14-크라운-4 에테르인 것을 특징으로 하는 리튬이온 흡착막의 제조방법
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 제조한 아지도-고분자막과 말단에 알킨기가 도입된 크라운 에테르를 반응시켜 고분자막과 크라운 에테가 트라이아졸 환으로 테더링된 구조로 제조되고, 상기 크라운 에테르는 13-크라운-4 에테르 또는 14-크라운-4 에테르인 것을 특징으로 하는 리튬이온 흡착막
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 아지도-고분자막을 제조하고, 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 제조한 후, 상기 아지도-고분자막과 상기 이오노포어의 고리화 반응으로 고분자막과 이오노포어를 테더링하는 방법으로 제조한 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 금속이온 흡착막을 이용하여 금속이온을 포함하는 용액으로부터 금속이온을 회수하는 방법
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고분자막 표면에 아지드기를 도입시켜 아지도-고분자막을 제조하고, 말단에 알킨기가 도입된 이오노포어를 제조한 후, 상기 아지도-고분자막과 상기 이오노포어의 고리화 반응으로 고분자막과 이오노포어를 테더링하여 제조한 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 금속이온 센서
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