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하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019001018
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지는 기판의 상부에 형성되어 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극, 상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층, 상기 정공 수송층의 상부에 형성된 페로브스카이트 구조의 광 흡수층, 및 상기 광 흡수층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시된다. [화학식 1] ABX3 여기서, 상기 A는 유기양이온이고, 상기 B는 금속원소이고, 상기 X는 할로겐원소임.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01) H01L 51/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020170089281 (2017.07.13)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2014850-0000 (2019.08.21)
공개번호/일자 10-2019-0007812 (2019.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20190827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강동원 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0673096-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0606161-50
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1093033-13
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1197814-60
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1197812-79
6 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1197811-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1197813-14
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0206311-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0421440-43
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.04.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0421441-99
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0364297-85
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0528542-22
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 형성되어 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극의 상부에 형성되고, 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층;상기 정공 수송층의 상부에 형성된 페로브스카이트 구조의 광 흡수층; 및상기 광 흡수층의 상부에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시되고,상기 탄소나노튜브는 단일벽의 탄소나노튜브이고,상기 정공 수송층은 상기 탄소나노튜브 및 상기 PEDOT:PSS의 순서대로 적층되는 구조를 가지고,상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 더 포함하고,상기 탄소나노튜브는 상기 제1 전극의 상부에 드롭 캐스팅(drop-casting) 공정을 이용하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
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하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계;상기 기판의 상부에 전도성의 투명 기재를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극의 상부에 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 정공 수송층을 형성하는 단계;상기 정공 수송층의 상부에 페로브스카이트 구조의 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층은 하기 화학식 1에 기초하여 표시되고,상기 탄소나노튜브는 단일벽의 탄소나노튜브이고,상기 정공 수송층을 형성하는 단계는상기 제1 전극의 상부에 상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 탄소나노튜브의 상부에 상기 PEDOT:PSS를 코팅하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층 및 상기 제2 전극 사이에 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함하는 전자 수송층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는 드롭 캐스팅(drop-casting) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 코팅하는 단계는상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 PLL(poly-L-lysine) 용액을 도포하는 단계; 및상기 PLL 용액이 도포된 상기 제1 전극의 상부에 상기 드롭 캐스팅 공정을 이용하여 탄소나노튜브 용액을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 광 흡수층을 형성하는 단계는전구체를 유기용제에 용해시켜 페로브스카이트 용액을 제조하는 단계;상기 제조된 페로브스카이트 용액을 상기 정공 수송층에 코팅하는 단계; 및상기 코팅된 페로브스카이트 용액을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 전구체는 MAI, PbI2 및 SnI2 를 포함하고,상기 유기용제는 디메틸포름아미드(DMF) 및 디메틸설폭사이드(DMSO)를 포함하는 극성 유기용제인 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,에테르(Ether), 톨루엔(Toluene) 또는 클로로벤젠(Chlorobenzene)를 포함하는 무극성 유기용매를 이용하여 상기 극성 유기용제를 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 열처리는 60도 ~ 150도 사이에서 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 코팅하는 단계는 스핀 코팅(spin-coating) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 정공 수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 청주대학교 개인연구지원 차세대 적층형 페로브스카이트 태양전지를 위한 적외선 흡수용 반도체 및 소자 원천기술 개발