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다층 구조를 형성하는 열 방사 방지막에 있어서,유연기판;상기 유연기판 상에 하지층으로 형성한 제1 비정질 실리콘 산화인듐아연층;상기 제1비정질 실리콘 산화인듐아연층(SIZO) 상에 형성한 금속층; 및상기 금속층 상에 보호층으로 형성한 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층;을 포함하고, 상기 유연기판은, 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아미드(polyamide, PA), 폴리아미드-이미드(polyamide-imide), 폴리우레탄(polyurethane, PU), 폴리우레탄아크릴레이트(polyurethaneacrylate, PUA), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide, PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르 설폰(Polyether sulfone, PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르이미드(polyetherimide, PEI), 폴리다이메틸실록세인(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리스틸렌(Polystyrene, PS), 이축연신폴리스틸렌(biaxially oriented PS, BOPS), 아크릴수지, 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지 중 어느 하나이고,상기 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층은 스퍼터링 방법으로 두께 10nm 내지 1000nm으로 증착하며, 상기 제1 및 제2 비정질 실리콘 산화인듐아연층에 각각 포함된 실리콘의 함량은 0
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