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유리 기판 상에 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 제 1 비절연층;상기 제 1 비절연층 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 절연층; 및 상기 절연층 상에 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 제 2 비절연층;을 포함하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막
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유리 기판 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 제 1 절연층;상기 제 1 절연층 상에 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 비절연층; 및상기 비절연층 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 제 2 절연층;을 포함하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막
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유리 기판 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 절연층이 동일한 두께 또는 서로 다른 두께로 3 ~ 5 층으로 형성되는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 설폰화 비불소계 고분자는 설폰화 폴리(에테르에테르케톤)(Sulfonated poly(ether ether ketone), SPEEK), 설폰화 폴리(아릴 에테르 술폰)(Sulfonated poly(arylene ether sulfone), SPAES), 설폰화 폴리이미드(Sulfonated polyimide, SPI), 및 설폰화 폴리(페닐렌 옥사이드)(Sulfonated poly(phenylene oxide), SPPO))의 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 입자는 카본블랙, 탄소나노튜브, 그래핀, 그래핀 양자점, 및 그래핀 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 전도성 나노 입자 또는 나노 클레이 또는 나노 실리카 중 어느 하나인 비 전도성 나노 입자인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막
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6
유리 기판 상에 설폰화 비불소계 고분자로 제 1 비절연층을 형성하는 단계(S1);상기 제 1 비절연층 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 절연층을 형성하는 단계(S2); 및 상기 절연층 상에 설폰화 비불소계 고분자로 제 2 비절연층을 형성하는 단계(S3);를 포함하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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유리 기판 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 제 1 절연층을 형성하는 단계(T1);상기 제 1 절연층 상에 설폰화 비불소계 고분자로 비절연층을 형성하는 단계(T2); 및상기 비절연층 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 제 2 절연층을 형성하는 단계(T3);를 포함하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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유리 기판 상에 나노 입자가 분산된 설폰화 비불소계 고분자로 형성된 절연층을 동일한 두께 또는 서로 다른 두께로 3 ~ 5 층으로 형성하는 단계(U1)를 포함하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 설폰화 비불소계 고분자는 설폰화 폴리(에테르에테르케톤)(Sulfonated poly(ether ether ketone), SPEEK), 설폰화 폴리(아릴 에테르 술폰)(Sulfonated poly(arylene ether sulfone), SPAES), 설폰화 폴리이미드(Sulfonated polyimide, SPI), 및 설폰화 폴리(페닐렌 옥사이드)(Sulfonated poly(phenylene oxide), SPPO))의 군에서 선택되는 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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10
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 입자는 카본블랙, 탄소나노튜브, 그래핀, 그래핀 양자점, 및 그래핀 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 전도성 나노 입자 또는 나노 클레이 또는 나노 실리카 중 어느 하나인 비 전도성 나노 입자인 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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11
제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 설폰화 비불소계 고분자는,비불소계 고분자를 황산에 넣고 설폰화 반응을 하여 설폰화 반응물을 제조하는 단계(A1);상기 설폰화 반응물을 얼름물에 냉각시킨 후 고형화로 제조하는 단계(A2); 및상기 고형화를 유기 용매에 용해시켜 설폰화 비불소계 고분자 용액을 제조하는 단계(A3);를 거쳐 수득되는 것을 특징으로 하는 레독스 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 유기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide, DMAc), 디메틸포름아미드(dimethylformamide, DMF) 및 디메텔설폭시드(dimethylsulfoxide, DMSO)의 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 흐름 전지용 다층 복합 구조 이온교환막의 제조방법
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