맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

용액 공정 처리된 탄소/불소중합체 전계 효과 트랜지스터와 그 전하 전이 개선 방법

  • 기술번호 : KST2019001341
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 용액 공정 방법을 이용하여 불소중합체(fluoropolymer)(CYTOP, Teflon-AF 그리고 PVDF 등)를 처리함으로써 intrinsic한 전하 전이(charge transport) 특성이 회복되어 트랜지스터 소자의 특성 및 전하 전이 특성이 향상되며, 탄소-불소(carbon-fluorine) 결합이 가지는 쌍극자-상호작용(dipole-dipole interaction)이 소자의 성능을 저하시키는 불순물(impurity)과의 화학적 결합을 억제하여 소자의 전기전자적 특성이 향상되고, 불소중합체(fluoropolymer)가 가지는 소수성 표면(hydrophobic surface) 특성으로 인하여 내/외부에서의 물과의 결합을 억제시킴으로써 장시간 동작에 따른 FET 소자의 장기간 안정성과 신뢰성을 확보하는, 150℃ 이하의 저온 용액 공정 처리된 GFET에서 그래핀/불소중합체(graphene/fluoroploymer) 박막을 보호층으로 사용하며, 용액 공정 처리된 그래핀/불소중합체 전계 효과 트랜지스터와 그 전하 전이(charge transport) 개선 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01)
출원번호/일자 1020170104413 (2017.08.17)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0019467 (2019.02.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.17)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 하태준 대한민국 서울특별시 송파구
2 전준영 대한민국 부산광역시 연제구
3 박반석 대한민국 서울특별시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0795511-33
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0847376-18
3 보정요구서
Request for Amendment		 2017.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0121758-11
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0961405-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0789149-03
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0064315-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-0128070-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0280851-86
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0280852-21
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0280850-30
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0524362-64
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.08.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0822733-65
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0822732-19
14 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0620575-12
15 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0937293-30
16 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5036938-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
용액 공정 기반의 그래핀/불소중합체 트랜지스터의 전하 전이(charge transport) 개선 방법에서,(a) 하이 p-도핑된 실리콘 기판(highly p-doped silicon substrate) 상의 트랜지스터 내의 게이트 유전체(gate dielectric)로서 300 nm 두께의 실리콘 이산화물(silicon dioxide, SiO2)은 5분동안 초음파분쇄기(sonicator)에서 에탄올, 메탄올 및 IPA(Iso-propyl alcohol)의 유기 용매(organic solvents)와 함께 세정하는 단계; (b) 용매(solvents)를 철저하게 제거한 후, 자외선 오존(ultra-violet ozone)은 친수성(hydrophilic)으로 만들기 위해 SiO2 표면에 10분 동안 노출하는 단계; (c) 샘플들은 그래핀 막(graphene films)의 흡착을 향상시키기 위해 poly-L-Lysine(PLL) (Sigma Aldrich, H2O의 0
13 13
제12항에 있어서, 기판층상 및 반도체 박막 소스/드레인 전극(source/drain electrodes) 상에 Organic 물질 인 CYTOP 불소중합체를 도포하는, 용액 공정 기반의 그래핀/불소중합체 트랜지스터의 전하 전이 개선 방법
14 14
제12항에 있어서,저온 용액 공정 기반의 그래핀/불소중합체 FET, 탄소 나노튜브 박막 트랜지스터(CNT TFT), 감소된-그래핀-산화물 FET(RGO FET), CVD 그래핀/불소중합체 FET에서, 기판층과 드레인/소스/게이트 전극을 구비하고, 불소중합체(fluoropolymer)를 사용한 패시베이션 공정은스핀 코팅을 사용하여, 기판층상 및 반도체 박막 소스/드레인 전극(source/drain electrodes) 상에 Organic 물질 인 CYTOP, Teflon-AF 그리고 PVDF 중 어느 하나의 불소중합체를 도포하는, 용액 공정 기반의 그래핀/불소중합체 트랜지스터의 전하 전이 개선 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
제14항에 있어서, 150℃이하의 저온 용액 공정 처리된 트랜지스터 소자는 저온 용액 공정 방법을 이용하여 불소중합체(fluoropolymer)를 처리함으로써 본래의 전하 전이(intrinsic charge transport) 특성이 회복되어 트랜지스터 소자의 특성 및 전하 전이 특성이 향상되며, 탄소-불소(carbon-fluorine) 결합이 가지는 쌍극자-상호작용(dipole-dipole interaction)이 소자의 성능을 저하시키는 불순물(impurity)과의 화학적 결합을 억제하여 소자의 전기전자적 특성이 향상되고, 불소중합체(fluoropolymer)가 가지는 소수성 표면(hydrophobic surface) 특성에 의해 물과의 결합을 억제시킴으로써 장시간 동작에 따른 소자의 안정성을 제공하는, 용액 공정 기반의 그래핀/불소중합체 트랜지스터의 전하 전이 개선 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 이공분야기초연구사업_중견연구자지원사업_중견 연구 지능형 신경 접속을 위한 마이크로 및 나노 뉴로전자 기술 연구