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산화 세륨(CeO2)에 희토류 금속이 도핑된 형태의 세륨 산화물이되,희토류 금속:산화 세륨(CeO2) 의 몰비는 0
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제1항에서,상기 희토류 금속은 가돌리늄(Gadolinium), 사마륨(Samarium), 란타넘(Lanthanum), 또는 이들의 조합인 세륨 산화물
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제1항에서,상기 세륨 산화물의 형태는 각형 또는 구형이고, 평균 입경은 100 내지 200nm 인 세륨 산화물
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제1항에서,상기 세륨 산화물의 이온전도도는 0
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세륨 전구체, 우레아, 희토류 금속염을 탈이온수에 투입하여 용액을 준비하는 단계;상기 용액을 가열하여 탄산 세륨 분말을 석출하는 단계; 및상기 석출된 탄산 세륨 분말을 용액으로부터 분리하여 건조 및 하소하는 단계; 를 포함하는 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,세륨 전구체, 우레아, 희토류 금속염을 탈이온수에 투입하여 용액을 준비하는 단계; 에서,희토류 금속염:세륨 전구체의 몰비는 0
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제6항에서,상기 세륨 전구체의 농도는 0
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제6항에서,상기 희토류 금속염의 농도는 1M(mole/L) 이하인 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,상기 우레아의 농도는 0
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10
제9항에서,상기 우레아의 농도는 1 내지 10M(mole/L) 인 세륨 산화물의 제조방법
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제10항에서,상기 우레아의 농도는 5 내지 10M(mole/L) 인 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,세륨 전구체, 우레아, 희토류 금속염을 탈이온수에 투입하여 용액을 준비하는 단계; 에서,상기 탈이온수의 온도를 0℃ 내지 25℃ 범위로 유지하는 세륨 산화물의 제조방법
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13
제5항에서,상기 용액을 가열하여 탄산 세륨 분말을 석출하는 단계;에서,상기 용액을 70℃ 내지 100℃ 미만으로 가열하는 세륨 산화물의 제조방법
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제13항에서,상기 용액을 가열하여 탄산 세륨 분말을 석출하는 단계;에서,상기 용액을 2시간 이내로 가열하는 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,상기 석출된 탄산 세륨 분말을 용액으로부터 분리하여 건조 및 하소하는 단계; 에서,상기 탄산 세륨 분말을 50℃ 내지 100℃에서 진공 건조하는 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,상기 석출된 탄산 세륨 분말을 용액으로부터 분리하여 건조 및 하소하는 단계; 에서,상기 탄산 세륨 분말을 300℃ 내지 1000℃에서 하소하는 세륨 산화물의 제조방법
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제16항에서,상기 석출된 탄산 세륨 분말을 용액으로부터 분리하여 건조 및 하소하는 단계; 에서,상기 탄산 세륨 분말을 2시간 이상 동안, 대기 분위기에서 하소하는 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,상기 석출된 탄산 세륨 분말을 용액으로부터 분리하여 건조 및 하소하는 단계; 에서,용액으로부터 분리된 탄산 세륨 분말을 탈이온수, 에탄올, 또는 이들의 조합을 이용하여 세척하는 세륨 산화물의 제조방법
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제5항에서,희토류 금속염은 가돌리늄(Gadolinium), 사마륨(Samarium), 란타넘(Lanthanum), 또는 이들의 조합인 세륨 산화물의 제조 방법
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제19항에서,상기 희토류 금속염은 Ce4+보다 이온 반경이 크거나 원자가가 낮은 혼합물을 포함하는 세륨 산화물 제조 방법
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반응기;상기 반응기 내부에 포함되고, 용융된 금속 산화물 전해질;상기 금속 산화물 전해질과 접하는 음이온 투과성 멤브레인;상기 금속 산화물 전해질과 접하는 캐소드; 및상기 멤브레인에 의해 상기 금속 산화물 전해질과 분리되고 상기 캐소드와 전기적으로 연결된 애노드;를 포함하고,상기 멤브레인은, 산화 세륨(CeO2)에 희토류 금속이 도핑된 형태의 세륨 산화물이되, 희토류 금속:산화 세륨(CeO2) 의 몰비는 0
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