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a) 표면에너지가 35 내지 60 mJ/㎡인 기판 상에 금속 나노와이어 용액을 도포하여 금속 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;b) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 마스크를 위치시키고 친수화 처리를 하여 마스크가 없는 부분을 친수화 처리하는 단계;c) 상기 금속 나노와이어 코팅층 상에 경화성 고분자 수지를 도포 및 경화하여 친수화 처리된 부분의 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 제조하는 단계; 및d) 상기 기판으로부터 상기 금속 나노와이어 코팅층이 매립된 고분자 필름을 분리하여 패턴이 형성된 금속 나노와이어 층을 갖는 플렉서블 투명전극을 수득하는 단계;를 포함하는 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 기판과 나노와이어 코팅층 간의 접착력이 110 내지 160 mN/m인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b)단계에서 친수화 처리는 플라즈마, 자외선-오존, 전자빔 또는 이온빔 처리인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 플라즈마 또는 이온빔 처리는 O2, H2, N2 및 Ar으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체를 사용하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 b)단계에서 친수화 처리 시, a)단계의 기판(A)과 나노와이어 코팅층(B) 및 상기 c)단계의 친수화 처리된 나노와이어 코팅층(C)과 경화성 고분자 수지(D)의 접착력이 하기 식 1 및 식 2를 만족하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금에서 선택되고, 직경이 10 ~ 50nm이고, 길이가 10 ~ 50nm, 종횡비가 500 ~ 800인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어 용액은 금속 나노와이어, 친수성 고분자 바인더 및 극성 양자성 용매를 포함하는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도포는 스핀 코팅, 바코팅, 롤투롤 코팅에서 선택되는 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 a)단계에서 금속 나노와이어 코팅층의 표면에너지가 110 내지 200 mJ/㎡인 것인 패턴이 형성된 플렉서블 투명전극의 제조방법
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