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타겟(target) 기판을 준비하는 단계;제1 마스터 패턴을 포함하고, 상기 타겟 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계;상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 타겟 패턴을 형성하는 단계;상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계;제2 마스터 패턴을 포함하고 상기 타겟 기판의 경도 이상의 경도를 갖는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 타겟 패턴의 경도를 향상시키는 단계; 및상기 제1 타겟 패턴이 형성된 상기 타겟 기판 및 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제2 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 타겟 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 타겟 패턴은 상기 제1 타겟 패턴과 동일한 형상을 유지하고, 상기 타겟 기판의 하부면을 기준으로 서로 다른 레벨을 가지며, 상기 제2 마스터 패턴으로 눌려지지 않은 나머지 일부의 상기 제1 타겟 패턴은 상기 타겟 기판 상에 잔존되는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 타겟 패턴의 경도를 향상시키는 단계는, 상기 타겟 기판을 열처리하거나, 또는 상기 타겟 기판 상에 자외선을 조사하는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 타겟 패턴의 상부면의 레벨이, 상기 제1 타겟 패턴의 상부면의 레벨보다 낮은 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 타겟 기판 상에 가해진 압력과, 상기 제2 마스터 기판 및 상기 타겟 기판 상에 가해진 압력은 서로 다른 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판 및 상기 제2 마스터 기판은 서로 다른 물질인 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 제3 마스터 패턴을 포함하는 제3 마스터 기판을 준비하는 단계; 및상기 제2 타겟 패턴이 형성된 상기 타겟 기판 및 제3 마스터 패턴을 포함하는 제3 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제3 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제2 타겟 패턴의 일부가 상기 제3 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제3 타겟 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제3 타겟 패턴은 상기 타겟 기판의 상부면 상에 형성되고, 상기 타겟 기판의 하부면을 기준으로, 상기 제3 타겟 패턴의 레벨은, 상기 제1 타겟 패턴 및 상기 제2 타겟 패턴까지의 레벨과 다른 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제7 항에 있어서, 상기 제1 마스터 패턴, 상기 제2 마스터 패턴, 및 상기 제3 마스터 패턴은 서로 다른 형상인 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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금속을 포함하는 타겟 기판을 준비하는 단계;제1 마스터 패턴을 갖고, 실리콘을 포함하는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계;상기 제1 마스터 기판으로 상기 타겟 기판을 49 kgf/mm2 이상의 압력으로 눌러, 상기 제1 마스터 패턴에 대응하는 제1 타겟 패턴을 상기 타겟 기판 상에 형성하는 단계; 및제2 마스터 패턴을 갖는 제2 마스터 기판으로 상기 제1 타겟 패턴을 갖는 상기 타겟 기판을 눌러, 상기 제1 타겟 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴으로 눌려진 제2 타겟 패턴이 형성되되, 상기 제2 마스터 패턴으로 눌려지지 않은 나머지 일부의 상기 제1 타겟 패턴이 잔존되는 단계를 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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제10 항에 있어서, 상기 제2 마스터 패턴으로 눌려진 상기 제1 타겟 패턴의 상기 일부의 형상은 유지되어, 상기 제1 타겟 패턴 및 상기 제2 타겟 패턴은 동일한 형상을 갖되, 다른 레벨에 위치하는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 멀티 패터닝 방법
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