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타겟(target) 기판을 준비하는 단계;제1 마스터 패턴을 포함하고, 상기 타겟 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계;상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 타겟 패턴을 형성하는 단계; 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계;제2 마스터 패턴을 포함하고 상기 타겟 기판의 경도 이상의 경도를 갖는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 타겟 패턴의 경도를 향상시키는 단계; 및경도가 향상된 상기 제1 타겟 패턴이 형성된 상기 타겟 기판 및 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제2 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 타겟 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 타겟 패턴은 상기 제1 타겟 패턴과 동일한 형상을 유지하고, 상기 타겟 기판의 하부면을 기준으로 서로 다른 레벨을 갖는 것을 포함하는 가압 방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 타겟 패턴의 경도를 향상시키는 단계는, 상기 타겟 기판을 열처리하거나, 또는 상기 타겟 기판 상에 자외선을 조사하는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판에 가해지는 압력의 크기를 조절하여, 상기 제1 타겟 패턴의 높이가 제어되는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제 1 마스터 기판 및 상기 타겟 기판의 종류는, SU-8, PUA(poly(urethane acrylate)), photoresist, PMMA(polymethyl methacrylate), polydimethylsiloxane(PDMS), polystyrene(PS), polyacrylate, polymethylpentene, 블록공중합체(block copolymer), PET(polyethylene terephthalate), PI(polyimide), 구리(Cu), 백금(Pt), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 납(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 아연(Zn), 인듐(In), MoS2, BN, WSe2, 2차원 소재(MoS2, BN, WSe2), ITO(Indium Tin Oxide), GST(Ge2Sb2Te5), 생물의 가죽, 생물의 털, 껍질, 각종 단백질, 섬유소재 및 늘어나는 소재를 포함하는 금속, 비금속, 합금, 또는 복합 소재 중에서 어느 하나를 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 압력이 가해진 상태 또는 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 압력이 가해지기 전, 접촉된 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 열처리하거나, 또는 접촉된 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 자외선(ultraviolet)을 조사하는 단계를 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판은 실리콘, 금속, 비금속, 복합소재를 포함하고, 상기 타겟 기판은 금속을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판은 실리콘, 금속, 비금속, 복합소재를 포함하고, 상기 타겟 기판은 비금속을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판은 실리콘, 금속, 비금속, 복합소재를 포함하고, 상기 타겟 기판은 합금을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마스터 기판은 실리콘, 금속, 비금속, 복합소재를 포함하고, 상기 타겟 기판은 복합소재를 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴의 형상 변화를 통하여 상기 타겟 기판의 상기 제1 타겟 패턴의 형상이 제어되는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴은 직선 또는 곡선 라인(line), 닷(dot), 메쉬(mesh), 홀(hole), 물결모양, 삼각형, 링, 지그재그, 또는 조그(jog) 중에서 어느 하나의 형상 또는 두 가지 이상의 형상의 조합을 가지고, 상기 제 1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴은, 광리소그래피(photolithography) 기술, 블록공중합체 자기조립, 이빔리소그래피(e-beam lithography), 나노임프린트 리소그래피(NIL), EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피, 패턴전사프린팅, 분자자기조립, 또는 레이저 패터닝 기술로 형성되는 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴의 폭은 서로 달라, 상기 타겟 기판의 상기 제1 타겟 패턴의 폭이 서로 다른 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 마스터 기판의 상기 제1 마스터 패턴의 폭 및 상기 타겟 기판의 상기 제1 타겟 패턴의 폭은, 나노 미터, 마이크로 미터, 센티 미터, 또는 미터 단위인 것을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 마스터 기판 및 상기 타겟 기판의 적어도 표면 특성을 개질하는 열처리, 내마모성 화학처리, 또는 물리적 코팅을 수행하는 것을 더 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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금속을 포함하는 타겟(target) 기판을 준비하는 단계; 제1 마스터 패턴을 포함하고, 상기 타겟 기판의 경도(hardness) 이상의 경도를 갖는 제1 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 접촉시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판 상에 49 kgf/mm2 이상의 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 마스터 패턴의 역상을 갖는 제1 타겟 패턴을 형성하는 단계; 상기 타겟 기판 및 상기 제1 마스터 기판을 분리하는 단계;제2 마스터 패턴을 포함하고 상기 타겟 기판의 경도 이상의 경도를 갖는 제2 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 제1 타겟 패턴의 경도를 향상시키는 단계; 및경도가 향상된 상기 제1 타겟 패턴이 형성된 상기 타겟 기판 및 제2 마스터 패턴을 포함하는 제2 마스터 기판을 접촉 시키되, 상기 타겟 기판 및 상기 제2 마스터 기판 상에 압력을 가하여, 상기 타겟 기판 상에 상기 제1 타겟 패턴의 일부가 상기 제2 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제2 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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제16 항에 있어서,상기 마스터 기판은, 실리콘을 포함하는 가압방식 소성변형 패터닝 방법
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