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서로 옆으로 이격된 제 1 영역과 제 2 영역을 포함하는 기판;상기 기판의 상기 제 1 영역 상에 배치되는 단위 발광 소자; 및상기 기판의 상기 제 2 영역 상에 배치되는 단위 수광 소자를 포함하되,상기 단위 발광 소자는 차례로 적층된 제 1 전극, 정공주입층, 정공운송층, 발광층, 전자운송층, 전자주입층 및 제 2 전극을 포함하고,상기 단위 수광 소자는 차례로 적층된 제 1 도전성 유기층과 제 2 도전성 유기층을 포함하고,상기 제 1 및 제 2 도전성 유기층들은 유기 화합물을 포함하는 유기 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 단위 수광 소자는 상기 제 1 도전성 유기층 아래의 제 3 전극과 상기 제 2 도전성 유기층 상의 제 4 전극을 더 포함하는 유기 전자 소자
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3
제 2 항에 있어서,상기 제 1 전극, 상기 정공주입층, 상기 정공운송층, 상기 발광층, 상기 전자운송층, 상기 전자주입층 및 상기 제 2 전극 모두 유연한 물질을 포함하고,상기 제 3 전극, 상기 제 1 도전성 유기층, 상기 제 2 도전성 유기층 및 상기 제 4 전극 모두 유연한 물질을 포함하는 유기 전자 소자
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4
제 3 항에 있어서,상기 기판은 유연한 물질로 형성되는 유기 전자 소자
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5
제 2 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전성 유기층들 중 어느 하나는 m-MTDATA (4,4′,4"-Tris[phenyl(m-tolyl)amino]triphenylamine), TDAB (1,3,5-tris(diphenylamino)benzene), TDATA (4,4',4"-tris(diphenylamino)-triphenylamine), TDAPB (1,3,5-tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzene), DPH (4-diphenylaminobenzaldehyde diphenylhydrazone), CuPc (Copper(II) phthalocyanine), PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate) 및 도전성 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전성 유기층들 중 다른 하나는 Tris(8-quinolinolato)aluminum, 붕소 함유 복합체, Oxadiazole-containing Oligo(arylene), Oligo(arylenevinylene) 계열 물질, 벤젠이나 트리아진 중심 코어를 가지는 화합물, 1,3,5-Triphenylbenzene 이나 2,4,6-Triphenyltriazine 중심 코어를 가지는 화합물, Triarylborane 및 Silole 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자
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7
제 2 항에 있어서,상기 제 2 전극 상에 배치되는 제 1 유기 곡면체 구조층과, 상기 제 4 전극 상에 배치되는 제 2 유기 곡면체 구조층 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 전자 소자
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 2 전극과 상기 제 1 유기 곡면체 구조층 사이에 배치되는 제 1 산화물층과 상기 제 4 전극과 상기 제 2 유기 곡면체 구조층 사이에 배치되는 제 2 산화물층 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 전자 소자
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 산화물층은 알루미늄산화막, ITO 또는 IZO를 포함하는 유기 전자 소자
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10
제 7 항에 있어서,상기 제 2 전극과 상기 제 1 유기 곡면체 구조층 사이에 배치되는 색변환층과 상기 제 4 전극과 상기 제 2 유기 곡면체 구조층 사이에 배치되는 대역 필터층 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 전자 소자
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11
제 1 항에 있어서,상기 기판의 상기 제 1 영역 상에 배치되며, 상기 제 1 전극에 연결되며 상기 단위 발광 소자를 구동하기 위한 제 1 트랜지스터; 및상기 기판의 상기 제 2 영역 상에 배치되며, 상기 제 3 전극에 연결되어 상기 단위 수광 소자로부터 발생된 전기적 신호를 감지하기 위한 제 2 트랜지스터 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 전자 소자
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12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터는: 상기 기판의 제 1 영역 상에 배치되는 제 1 게이트 전극;상기 제 1 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 제 1 전극과 이격되는 제 1 소오스/드레인 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 1 소오스/드레인 전극 사이에 개재되며 상기 게이트 절연막을 덮는 제 1 채널층을 포함하고,상기 게이트 절연막은 연장되어 상기 제 2 영역을 덮고,상기 제 2 트랜지스터는: 상기 기판의 제 2 영역 상에 배치되며 상기 게이트 절연막으로 덮이는 제 2 게이트 전극;상기 게이트 절연막 상에 배치되며 상기 제 3 전극과 이격되는 제 2 소오스/드레인 전극; 및상기 제 3 전극과 상기 제 2 소오스/드레인 전극 사이에 개재되며 상기 게이트 절연막을 덮는 제 2 채널층을 포함하는 유기 전자 소자
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13
제 1 항에 있어서,상기 단위 발광 소자는 복수개로 상기 제 1 영역에 배치되고,상기 단위 수광 소자는 복수개로 상기 제 2 영역에 배치되는 유기 전자 소자
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14
제 1 항에 있어서,상기 단위 발광 소자는 생체를 향해 제 1 전자기파를 발생시키고,상기 생체는 상기 제 1 전자기파를 받아 제 2 전자기파를 발생시키고,상기 단위 수광 소자는 상기 제 2 전자기파를 감지하는 유기 전자 소자
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15
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 3 전극은 동일한 물질로 형성되고,상기 제 2 전극과 상기 제 4 전극은 동일한 물질로 형성되는 유기 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입층과 상기 제 1 도전성 유기층은 동일한 물질로 형성되는 유기 전자 소자
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17
제 1 항에 있어서,상기 발광층과 상기 제 2 도전성 유기층은 동일한 물질로 형성되는 유기 전자 소자
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