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상부 전극, 및 상기 상부 전극 상에 배치되고 제1 패턴을 갖는 제1 마찰층을 포함하는 상부 전극 구조체를 형성하는 단계;하부 전극, 및 상기 하부 전극 상에 배치되고 제2 패턴을 갖는 제2 마찰층을 포함하는 하부 전극 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 마찰층 및 상기 제2 마찰층이 서로 마주보도록, 상기 하부 전극 구조체, 및 상기 상부 전극 구조체를 배치하는 단계; 및상기 제1 마찰층 및 상기 제2 마찰층 사이에 제3 패턴을 포함하는 기능층을 배치하는 단계를 포함하되, 상기 제1 및 제2 패턴은 각각, 제1 서브 패턴 및 제2 서브 패턴을 포함하고, 상기 상부 전극 구조체, 및 상기 하부 전극 구조체를 형성하는 단계는, 상기 제1 마찰층이 형성된 상기 상부 전극, 및 상기 제2 마찰층이 형성된 상기 하부 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 및 제2 마찰층보다 높은 경도를 갖고, 제1 및 제2 마스터 패턴을 갖는 제1 및 제2 마스터 기판을 준비하는 단계; 및상기 제1 및 제2 마찰층을 상기 제1 및 제2 마스터 기판으로 눌러, 상기 제1 및 제2 마찰층 상에, 상기 제1 및 제2 마스터 패턴의 역상을 갖는 상기 제1 및 제2 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 패턴이 형성된 상기 제1 마찰층, 및 상기 제2 패턴이 형성된 상기 제2 마찰층을 열처리하거나, 또는 자외선을 조사하는 단계; 상기 제1 및 제2 마찰층보다 높은 경도를 갖고, 제1 및 제2 보조 마스터 패턴을 갖는 제1 및 제2 보조 마스터 기판을 준비하는 단계; 열처리, 또는 자외선이 조사된 상기 제1 패턴이 형성된 상기 제1 마찰층, 및 상기 제2 패턴이 형성된 상기 제2 마찰층을 상기 제1 및 제2 보조 마스터 기판으로 눌러, 상기 제1 및 제2 패턴의 일부가 상기 제1 및 제2 보조 마스터 패턴과 중첩되어 변형되고, 상기 상부 전극과 접촉된 상기 제1 및 제2 패턴의 일면으로부터 서로 다른 레벨에 위치하되 동일한 형상을 갖는 제1 및 제2 서브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마찰층 및 상기 제2 마찰층 사이에 제3 패턴을 갖는 기능층을 배치하는 단계는, 상기 기능층보다 높은 경도를 갖고, 제3 마스터 패턴을 갖는 제3 마스터 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기능층을 상기 제3 마스터 기판으로 눌러, 상기 기능층 상에, 상기 제3 마스터 패턴의 역상을 갖는 상기 제3 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제1 마찰층, 상기 제2 마찰층, 및 상기 기능층 상에 가해지는 압력은, 상기 제1 마찰층, 상기 제2 마찰층, 및 상기 기능층의 물질 종류에 따라 달라지는 것을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 마찰층, 상기 제2 마찰층, 및 상기 기능층이 고분자 소재인 경우, 5 kgf/mm2 이상의 압력이 가해지고,상기 제1 마찰층, 상기 제2 마찰층, 및 상기 기능층이 가교된(cross-linked) 고분자 소재인 경우, 37 kgf/mm2 이상의 압력이 가해지는 것을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 마찰층, 및 상기 제2 마찰층은, 압전 물질, 또는 절연성 물질 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 서브 패턴은, 상기 제1 패턴의 일부가 상기 제1 보조 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 제1-1 서브 패턴, 및 상기 제1 패턴의 일부가 상기 제1 보조 마스터 패턴과 중첩되어 변형되지 않은 제1-2 서브 패턴을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 상부 전극과 접촉된 상기 제1 마찰층의 일면을 기준으로, 상기 제1-2 서브 패턴의 레벨은, 상기 제1-1 서브 패턴까지의 레벨보다 높은 것을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기능층은 상기 제1 마찰층과 대면하는 제1 표면, 및 상기 제2 마찰층과 대면하는 제2 표면을 포함하고, 상기 제3 패턴은, 상기 제1 표면 및 상기 제2 표면에 각각 제공되는 제3-1 패턴 및 제3-2 패턴을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제3-1 패턴 및 상기 제3-2 패턴의 선폭은, 상기 제1 패턴의 선폭 및 상기 제2 패턴의 선폭과 다른 것을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제3-1 패턴은, 상기 제1 표면으로부터 서로 다른 레벨에 위치하되, 동일한 형상을 갖는 복수의 제3-1 서브 패턴들을 포함하고, 상기 제3-2 패턴은, 상기 제2 표면으로부터 서로 다른 레벨에 위치하되, 동일한 형상을 갖는 복수의 제3-2 서브 패턴들을 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 제3-1 서브 패턴, 및 제3-2 서브 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기능층보다 높은 경도를 갖고, 제3 및 제4 보조 마스터 패턴을 갖는 제3 및 제4 보조 마스터 기판을 준비하는 단계; 상기 제3-1 패턴, 및 제3-2 패턴이 형성된 상기 기능층을 열처리하거나, 또는 자외선을 조사하는 단계; 및열처리, 또는 자외선이 조사된 상기 제3-1 패턴, 및 상기 제3-2 패턴을 각각 상기 제3 및 제4 보조 마스터 기판으로 눌러, 상기 제3-1 패턴 및 상기 제3-2 패턴의 일부가 상기 제3 및 제4 보조 마스터 패턴과 중첩되어 변형된 상기 제3-1 서브 패턴 및 상기 제3-2 서브 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 에너지 하베스터 소자의 제조 방법
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