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챔버;상기 챔버 내에 구비되며, 하나 이상의 기재가 안착되는 기재 지지부;상기 챔버 내에 소스 가스 및 서로 다른 둘 이상의 반응 가스를 각각 공급하는 가스 공급부; 및상기 가스 공급부의 제어를 통해 박막 증착 공정을 제어하는 제어부를 포함하는, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 가스 공급부는 상기 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급부, 상기 반응 가스를 각각 공급하는 복수의 반응 가스 공급부, 및 상기 소스 가스 또는 반응 가스의 공급 전 퍼지 가스를 공급하는 하나 이상의 퍼지 가스 공급부를 포함하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 박막 증착 장치는 플라즈마 발생부를 추가 포함하며, 상기 하나 이상의 반응 가스를 상기 기재 상에 플라즈마 상태로 공급하는 것인, 박막 증착 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제어부는 상기 기재 지지부 또는 상기 가스 공급부를 회전 또는 이동시켜 상기 기재 지지부와 상기 가스 공급부의 상태적 배치 상태를 제어하여, 각 기재에 대하여 소스 가스 공급, 반응 가스 공급 및 퍼지 가스 공급을 순차적으로 수행하도록 하는 것인, 박막 증착 장치
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제 4 항에 있어서,상기 가스공급부는 평면 상에 공간적으로 분할되어 배치된 소스 가스 공급부, 제 1 반응 가스 공급, 제 2 반응 가스 공급부 및 이들 사이에 위치한 퍼지 가스 공급부들을 포함하고,상기 제어부는 상기 챔버 내에 소스 가스 공급, 제 1 및 제 2 반응 가스 공급, 퍼지 가스 공급을 동시에 수행하면서, 상기 기재 지지부를 회전 또는 이동시켜 각 기재에 대하여 소스 가스 공급, 퍼지 가스 공급, 제 1 반응 가스 공급, 퍼지 가스 공급, 제 2 반응 가스 공급 및 퍼지 가스 공급을 순차적으로 수행하도록 하는 것인, 박막 증착 장치
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제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제어부는 각 기재에 대하여 소스 가스 공급 또는 반응 가스 공급을 각각 수행한 후, 전체 기재에 대하여 퍼지 가스 공급을 수행하도록 하는 것인, 박막 증착 장치
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7
제 4 항에 있어서,상기 가스 공급부는 길이 방향으로 순차적으로 배치된 제 1 퍼지 가스 공급부, 소스 가스 공급부, 제 2 퍼지 가스 공급부, 제 1 반응 가스 공급부, 제 3 퍼지 가스 공급부 및 제 2 반응 가스 공급부를 포함하고,상기 제어부는 상기 기재 지지부를 이동시켜 상기 가스 공급부와 상기 기재의 상대적 배치 상태를 제어하여, 상기 기재 안착부에 안착된 기재에 대하여 소스 가스 공급 처리, 반응 가스 공급 처리 및 퍼지 가스 공급 처리를 순차적으로 수행하도록 하는 것인, 박막 증착 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제어부는 상기 소스 가스 공급부를 구동하여 상기 챔버 내에 실리콘 전구체를 주입하여 상기 실리콘 전구체를 상기 기재상에 흡착시키는 단계;상기 퍼지 가스 공급부를 구동하여 제 1 퍼지 동작을 수행하는 단계;제 1 반응 가스 공급부 및 플라즈마 발생부의 구동을 통해 상기 챔버 내에 제 1 반응 가스를 플라즈마 상태로 제공하여 상기 기재 상에 수소 함유-실리콘 질화막을 형성하는 단계;상기 퍼지 가스 공급부를 구동하여 제 2 퍼지 동작을 수행하는 단계; 및제 2 반응 가스 공급부 및 플라즈마 발생부의 구동을 통해 상기 챔버 내에 제 2 반응가스를 플라즈마 상태로 제공하여 상기 기재상에 실리콘 질화막을 형성하는 단계를 순차적으로 수행하는 것인, 박막 증착 장치
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9
제 2 항에 있어서,상기 가스 공급부는 클로라이드계 실리콘 전구체, 아미드(amide)계 실리콘 전구체, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘 전구체를 상기 소스 가스로서 공급하는 것인, 박막 증착 장치
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10
제 9 항에 있어서,상기 소스 가스는 SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, Si2Cl6, Si3Cl8, Si4Cl10, RxSiCl4-x(0003c#x003c#4인 정수), RxSi2Cl6-x(0003c#x003c#6인 정수), RxSi3Cl8-x(0003c#x003c#8인 정수), RxSi4Cl10-x(0003c#x003c#10인 정수), H2Si[N(C2H5)2]2(BTBAS), SiH2[N(C2H5)2]2(BDEAS), SiH[N(CH3)2]3(TDMAS), SiH3[N(C3H7)2](DIPAS), SiH3[N(CH3)2](DMAS), SiH3[N(CH3C2H5)](EMAS), SiH3[N(C2H5)2](DEAS), (R1R2N)nSiH4-n(0003c#n003c#4인 정수), (R1R2R3Si)nNH3-n(0003c#n003c#3인 정수), (R1R2R3Si)nNxHy(n003e#0, x003e#0, 및 y003e#0인 정수), ((CH3)3Si)2N(SiH(CH3)N(CH3)2)[(dimethylaminomethylsilyl)bis(trimethylsilyl)amine]，(CH3)3SiN(SiH(CH3)N(CH3)2)2[bis(dimethylaminomethylsilyl)(trimethylsilyl)amine]， C4H17NSi3[Bis(dimethylsilyl)silylamine]， (((CH3)2N)SiH(CH3))3N)[tris(dimethylamino)(methylsilyl)amine]， C7H25N3Si3[Bis(dimethylaminomethylsilyl)(methylsilyl)amine]， 링구조를 가지는 C8H22N2Si2（1,3-di-isopropylamino-2,4-dimethylcyclosilazane）， C6H18N2Si2(1,2,2,3,4,4-hexamethyl-1,3,2,4-diazadisiletidine), 알콕사이드, Si(C2H5O)4, Si(NCO)4, SiH4, 및 Si(II) 전구체로서 1,4-다이-아이소프로필-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-isopropyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-메틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-methyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-에틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-ethyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-아이소프로필-1,3-다이다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-isopropyl-1,3-didiazabutadiene silicon), 1,4-다이-부틸-1,3-다이아자부타디엔 실리콘(1,4-di-butyl-1,3-diazabutadiene silicon), 1,4-다이-아자-부탄-1,4-다이-터트-부틸-2,2-다이-메틸 실리콘(1,4-di-aza-butane-1,4-di-tert-butyl-2,2-di-methyl silicon), 4-터트-부틸-1,4-다이-아자-부탄-3,3-다이-메틸-1-에틸 실리콘(4-tert-butyl-1,4-di-aza-butane-3,3-di-methyl-1-ethyl silicon)，(R1NCH=CHNR2)Si(II)， (R1NR２NR３)Si(II)， 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 실리콘 전구체이며, 여기서 상기 R은 각각 독립적으로 수소, C1-20의 선형 또는 분지형의 알킬기, C3-20의 불포화 또는 방향족 고리기인 것인, 박막 증착 장치
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제 2 항에 있어서,상기 복수의 반응 가스 공급부는 질소-함유 물질을 공급하는 제 1 반응 가스 공급부 및 질소 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 공급부를 포함하는 것인, 박막 증착 장치
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제 11 항에 있어서,상기 질소-함유 반응 물질은 NH3, RxNH3-x, N2H4, RxN2H4-x, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이며, 이때 상기 R은 C1-20의 알킬기를 포함하는 것이고, x는 0 내지 4의 정수인, 박막 증착 장치
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제 2 항에 있어서,상기 가스 공급부는 불활성 기체를 상기 퍼지 가스로서 공급하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 박막 증착 장치는 원자층 증착(ALD:atomic layer deposition)을 이용하는 것인, 박막 증착 장치
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