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적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 기판;상기 기판 상에 배치된 탄성막; 및상기 탄성막 상에 배치되고, 적어도 일부가 비정질 금속으로 이루어진 압력 검출 박막;을 포함하고,상기 기판 및 상기 탄성막의 한계변형률이 상기 압력 검출 박막의 한계변형률 이상일 수 있다
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제1항에 있어서,상기 기판, 상기 탄성막, 상기 압력 검출 박막은,응력-변형률의 선도(Stress-Strain diagram)에서, 탄성변형이 소성변형으로 변하는 변형률이 1
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제1항에 있어서,상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Zr 20~70 at%, 잔부 Cu 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고,상기 압력 검출 박막의 두께가 5μm 이하 인,비정질 합금을 이용한 압력 센서
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제1항에 있어서,상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Si 5~20 at%, B 5~20 at%, 잔부 Co 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고,상기 압력 검출 박막의 두께가 10~20 μm인,비정질 합금을 이용한 압력 센서
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제4항에 있어서,상기 압력 검출 박막은 상기 압력 검출 박막 전체에 대하여 Cr, Fe 및 Ni 중 적어도 어느 하나를 5 at% 이하로 포함하는, 비정질 합금을 이용한 압력 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 굽힘형(Bending Type) 및 전단형(Shear Type) 중 어느 하나인,비정질 합금을 이용한 압력 센서
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제1항에 있어서,상기 압력 검출 박막 및 기판은 급속응고법과 스퍼터링(sputtering) 증착법 중에서 어느 하나의 방법으로 제조된,비정질 합금을 이용한 압력 센서
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