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기판 패드를 갖는 패키지 기판을 준비하는 단계;상기 기판 패드 상에 반도체 칩을 실장하는 단계를 포함하되,상기 반도체 칩을 실장하는 단계는:상기 반도체 칩의 칩 패드와 상기 기판 패드 사이에 솔더와, 제 1 캡슐 층을 갖는 환원제 알갱이를 포함하는 수지 층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 칩에 레이저를 조사하여 상기 기판 패드에 상기 칩 패드를 본딩하는 단계를 포함하되,상기 기판 패드에 상기 칩 패드를 본딩하는 단계는:상기 레이저에 의해 생성된 열로 상기 제 1 캡슐 층을 제거하는 단계;상기 환원제 알갱이를 이용하여 상기 기판 패드, 상기 솔더, 및 상기 칩 패드 상의 제 1 내지 제 3 금속 산화막들을 제거하는 단계; 그리고상기 기판 패드에 상기 칩 패드를 연결하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원제 알갱이는:상기 제 1 캡슐 층 내의 제 2 캡슐 층; 및상기 제 2 캡슐 층 내의 경화제 알갱이를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 캡슐 층은 상기 제 1 캡슐 층의 융점보다 높은 융점을 갖는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 캡슐 층이 polyphenylene sulfide를 포함할 때, 상기 제 2 캡슐 층은 Polyether ether ketone을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 수지 층은 베이스 물질 층 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 레이저에 의해 생성된 열을 이용하여 상기 제 2 캡슐 층을 제거하는 단계; 및상기 경화제 알갱이를 이용하여 상기 베이스 물질 층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 경화제 알갱이는 aliphatic amine, aromatic amine, cycloaliphatic amine, phenalkamine, imidazole, carboxylic acid, anhydride, polyamide-based hardners, phenolic curing agents, 또는 waterborne curing agents를 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원제 알갱이는 벌키 그룹이 치환된 하이드록실, 카르복실 산을 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더는 솔더 파우더를 포함하되,상기 반도체 칩을 상기 수지 층 상에 제공하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더는 솔더 볼을 포함하되,상기 솔더 볼을 상기 기판 패드 상에 형성하는 단계; 및상기 솔더 볼 상에 상기 반도체 칩을 제공하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 수지 층은: 베이스 물질 층; 및상기 베이스 물질 층 내에 혼합되어 상기 레이저 광의 열에 의해 상기 베이스 물질 층을 경화시키는 경화제를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판 패드에 상기 칩 패드를 본딩하는 단계는 투명 블록을 사용하여 상기 반도체 칩을 가압하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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