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기판;상기 기판 상에 반도체층; 및상기 기판과 상기 반도체층 사이에 굴절률변환층을 포함하고,상기 굴절변환층은 서로 마주보는 제1 패턴과 제2 패턴에 의해 둘러쌓여지고 공기를 포함하는 다수의 공간영역을 포함하고,상기 제1 패턴은 상기 기판의 상면에 배치되고, 상기 제2 패턴은 상기 반도체층의 하면에 배치되며, 상기 제1 패턴은 상기 기판의 하면으로부터 내부로 들어간 음각패턴이고, 상기 제2 패턴은 상기 반도체층의 상면으로부터 내부로 들어간 음각패턴인 포함하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 패턴은 서로 비대칭적인 구조를 갖는 반도체소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 패턴은 반구형 렌즈형상, 원추 형상 및 원뿔 형상 중 하나를 갖는 반도체소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 패턴은 서로 간에 부분적으로 접하는 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 제2 패턴의 종횡비는 1/4 내지 4인 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 공간영역의 직경과 상기 공간영역 사이의 간격의 비는 2 내지 15인 반도체소자
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제1항에 있어서,상기 반도체층은,상기 기판 상에 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 활성층; 및상기 활성층 상에 제2 반도체층을 포함하는 반도체소자
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제7항에 있어서,상기 제1 반도체층은,상기 기판 상에 제3 반도체층; 및상기 제3 반도체층 상에 배치되고 제1 도펀트를 포함하는 제4 반도체층을 포함하고,상기 제2 반도체층은 상기 제1 도펀트와 상이한 제2 도펀트를 포함하는 반도체소자
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기판 상에 금속패턴을 형성하는 단계;상기 금속패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 제1 패턴을 형성하는 단계;상기 금속패턴을 제거하는 단계; 및상기 제1 패턴에 부분적으로 접하도록 성장시켜 상기 제1 패턴에 마주하는 제2 패턴을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 패턴에 의해 둘러쌓여져 공기가 채워진 다수의 공간영역을 포함하는 굴절률변환층이 형성되는 반도체소자의 제조방법
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기판 상에 감광패턴을 형성하는 단계;상기 감광패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 식각하여 제1 패턴을 형성하는 단계;상기 감광패턴을 제거하는 단계; 및상기 제1 패턴에 부분적으로 접하도록 성장시켜 상기 제1 패턴에 마주하는 제2 패턴을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 패턴에 의해 둘러쌓여져 공기가 채워진 다수의 공간영역을 포함하는 굴절률변환층이 형성되는 반도체소자의 제조방법
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