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비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019001776
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition ;PECVD) 방법을 수행하여 반응기 내 위치한 기판 상에 비정질 실리콘 박막층을 증착하는 단계; (b) 상기 (a)단계를 통해 비정질 실리콘 박막 층이 증착된 기판 상에 진공증착 방법을 수행하여 금속 박막층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 (b)단계를 통해 상기 금속 박막층이 증착된 기판 상에 상기 금속 박막층의 금속원자를 촉매로 하여 실리카 나노와이어가 형성되도록 열처리하는 단계;를 포함하는 비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법 및 이로부터 제조된 실리카 나노와이어를 제공한다.
Int. CL C01B 33/18 (2006.01.01) C23C 16/24 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01) C23C 14/16 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01)
CPC C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01) C01B 33/18(2013.01)
출원번호/일자 1020170109088 (2017.08.29)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1972056-0000 (2019.04.18)
공개번호/일자 10-2019-0023384 (2019.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20190425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종환 대한민국 강원도 춘천시 근화길**번

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인빛과소금 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, *층 ***호 (가산동, 뉴티캐슬)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 강원도 춘천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0834112-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0139763-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0813216-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0062868-04
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0062875-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0265972-41
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a) 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition ;PECVD) 방법을 수행하여 반응기 내 위치한 기판 상에 비정질 실리콘 박막층을 증착하는 단계; (b) 상기 (a)단계를 통해 비정질 실리콘 박막 층이 증착된 기판 상에 진공증착 방법을 수행하여 금속 박막층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 (b)단계를 통해 상기 금속 박막층이 증착된 기판 상에 상기 금속 박막층의 금속원자를 촉매로 하여 실리카 나노와이어가 형성되도록 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 비정질 실리콘 박막층은 실리카 나노와이어를 형성하기 위해 상기 금속 박막층의 금속원자와 반응하는 규소(Si)의 공급원이며,상기 (a)단계는 플라즈마 화학기상 증착 방법을 수행하는데 있어서 고가인 순수 사일렌 가스의 사용량을 줄이기 위해 질소로 희석된 5% 사일렌(SiH4) 가스를 반응가스로 이용하고,상기 (c)단계는 산소가 포함된 질소가스 하에서 상기 비정질 실리콘 박막층 및 상기 금속 박막층이 증착된 기판을 열처리하되, 상기 산소가 상기 규소와 반응함으로써, 비정질 상의 실리카 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계 이전에 기판 상에 완충층을 형성하는 단계가 선행되고, 상기 완충층은 이산화규소(SiO2) 박막층인 것을 특징으로 하는비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 금속 박막층은 니켈(Ni)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 따른 비정질 실리콘을 이용한 실리카 나노와이어의 제조방법으로 제조되고, 상기 실리카 나노와이어는 SiOx로 구성된 비정질 실리카이고, 상기 x는 0003c#x003c#3인 것을 특징으로 하는실리카 나노와이어
7 7
삭제
8 8
제6항에 따른 실리카 나노와이어를 사용하여 제조된 광전소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.