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제1 가스가 저장된 제1 가스 탱크;제2 가스가 저장된 제2 가스 탱크;상기 제1 가스 및 상기 제2 가스를 혼합하여 상기 제1 가스의 농도를 희석시키는 희석 챔버;상기 제1 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제1 연결 파이프;상기 제2 가스 탱크와 상기 희석 챔버를 연결하는 제2 연결 파이프;상기 희석 챔버에 연결되어 상기 희석 챔버에서 혼합된 혼합가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제1 공급 파이프;상기 제2 연결파이프에서 분지되어 상기 제2 가스를 시험 대상체에 공급하기 위한 제2 공급 파이프; 및상기 제1 공급 파이프에서 분지되고, 상기 제1 공급 파이프의 내부 압력을 조절하기 위한 역류 방지 파이프;를 포함하고,상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나가 개방되도록 제어되어 상기 혼합가스 또는 상기 제2 가스가 시험 대상체에 공급되는 가스 공급 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 가스는 휘발성 유기 화합물(VOC)을 포함하고, 상기 제2 가스는 질소(N2)를 포함하는 가스 공급 장치
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제2 항에 있어서,상기 제1 가스는 포름알데히드(HCHO), 톨루엔, 자일렌, 아세톤 및 이산화질소 중 적어도 하나를 포함하는 가스 공급 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 연결 파이프 및 상기 제2 연결 파이프에는 상기 희석 챔버로 유입되는 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되고,상기 개폐 밸브의 개폐 동작에 의해 상기 제1 가스의 농도가 조절되는 가스 공급 장치
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제1 항에 있어서,상기 제1 공급 파이프에는 상기 제1 공급 파이프를 통과하는 가스의 양을 조절하기 위한 개폐 밸브 및 유량계가 구비되며,상기 역류 방지 파이프는 상기 제1 공급 파이프에 구비되는 개폐 밸브를 통과하지 못한 가스가 외부로 배출되어 상기 제1 공급 파이프 내부 압력이 상기 희석 챔버의 내부 압력보다 낮게 유지되는 가스 공급 장치
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제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 가스 공급 장치;상기 제1 공급 파이프 및 상기 제2 공급 파이프와 연결되어 상기 제1 공급 파이프 또는 상기 제2 공급 파이프 중 어느 하나에서 배출되는 가스를 센싱하는 가스 검출 센서 칩;상기 가스 검출 센서 칩 일측에 배치되는 프리즘;상기 프리즘을 통과하여 상기 가스 검출 센서 칩에 도달하는 광을 발산하는 광원; 및상기 가스 검출 센서 칩에서 반사된 광을 검출하는 검출기;를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제6 항에 있어서,상기 가스 검출 센서 칩은,기재;상기 기재의 상면에 형성된 금속층;상기 금속층의 상면에 형성된 금속 산화물층; 및상기 금속 산화물층의 표면에 결합된 리간드 화합물;을 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제7 항에 있어서,상기 금속층은 표면 플라즈몬 공명(SPR)을 일으키는 금속을 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제8 항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 백금(Pt) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제7 항에 있어서,상기 금속 산화물층은 TiO2, SiO2, ZnO, In2O3, WO3 및 SnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속산화물 입자를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제7 항에 있어서,상기 리간드 화합물은 아민기, 카복실기, 수산기, 메틸기, 티올기로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 관능기를 포함하는 가스 검출 센서 시험 장치
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제7 항에 있어서,상기 리간드 화합물은 포스포니트릴릭클로라이드 트라이머(PNCT)로부터 유래된 화합물인 가스 검출 센서 시험 장치
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제1 가스가 포함된 제1 가스 탱크와 제2 가스가 포함된 제2 가스 탱크를 개방하여 희석챔버에 유입시키는 제1 단계;상기 희석챔버에 유입된 상기 제1 가스의 농도를 기설정된 농도로 조절하는 제2 단계;상기 희석챔버에서 농도가 조절된 상기 제1 가스를 배출하여 가스 검출 센서 칩에 공급하는 제3 단계; 및상기 가스 검출 센서 칩에 빛을 발산하고, 반사되는 빛을 검출하여 굴절률 변화를 측정하는 제4 단계;를 포함하는 가스 검출센서 칩 시험 방법
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제13 항에 있어서,상기 제2 가스만을 상기 가스 검출 센서 칩에 공급하여 비교 데이터를 취득하는 제5 단계를 더 포함하는 가스 검출센서 칩 시험 방법
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제13 항에 있어서,상기 제2 단계 내지 상기 제4 단계를 반복적으로 실시하되,상기 제2 단계에서 조절되는 상기 제1 가스의 농도는 다양하게 변화되는 가스 검출 센서 칩 시험 방법
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