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제1 은(Ag) 나노입자;상기 제1 은 나노입자보다 입경이 작은 제2 은(Ag) 나노입자; 및상기 제2 은 나노입자의 입경보다 입경이 작거나 같은 구리(Cu) 나노입자를 포함하고,상기 제 은 나노입자, 상기 제2 은 나노입자와 상기 구리 나노입자는 각각 금속환원성 유기물로 코팅된 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 제2 은 나노입자는 전체 100 wt% 대비 50 wt% 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1 항에 있어서, 상기 구리 나노입자는 전제 100 wt% 대비 3 내지 20 wt%인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 제1 은 나노입자와 상기 제2 은 나노입자의 입경 비율은 5 내지 50 : 1이며, 상기 제1 은 나노입자와 상기 구리 나노입자의 입경 비율은 5 내지 50 : 1 인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1 항에 있어서,상기 전자소자 접착용 조성물은 분산매를 더 포함하고, 상기 분산매는 물, 알코올 또는 에테르인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 전자소자 접착용 조성물은 에폭시(epoxy)계 수지 또는 실록산(siloxane)계 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 전자소자 접착용 조성물을 소결하여 제조된 전자소자
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(1) 은(Ag)염 용액에 금속환원성 유기물 전구체와 환원제를 혼합하여 제1 은 나노입자를 제조하는 단계;(2) 은(Ag)염 용액을 금속환원성 유기물 전구체와 환원제를 혼합하여 상기 제1 은 나노입자보다 작은 입경을 갖는 제2 은 나노입자는 제조하는 단계;(3) 구리(Cu)염 용액에 금속환원성 유기물 전구체와 환원제를 혼합하여 상기 제2 은 나노입자의 입경보다 입경이 작거나 같은 구리 나노입자를 제조하는 단계; 및(4) 상기 제1 은 나노입자, 상기 제2 은 나노입자 및 상기 구리 나노입자를 혼합하는 단계를 포함하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (1) 단계 및 상기 (2) 단계의 은(Ag)염은 질산은(AgNO3), 초산은(CH3COOAg) 또는 황산은(Ag2SO4)인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (3) 단계의 구리(Cu)염은 질산구리(CuNO3), 초산구리(Cu(OAc)2) 또는 황산구리(CuSO4)인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (1) 내지 (3) 단계의 금속환원성 유기물 전구체는 각각 독립적으로, 소듐시트레이트(C6H5O7Na3), 3-메톡시프로필아민(CH3O(CH2)3NH2), 3-아미노프로판올(HO(CH2)3NH2), 소듐옥살레이트(Na2C2O4), 소듐아스코베이트(NaC6H7O6), 소듐글루코네이트(NaC6H11O7), 포도당(glucose), 에틸렌글리콜(ethylene glycol)으로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (1) 내지 (3) 단계의 환원제는 각각 독립적으로, 황산철(FeSO4), 포름산(HCOOH), 소듐보로하이드라이드(NaBH4), 히드라진(N2H4), 초산(CH3COOH)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (4) 단계는 분산제를 더 첨가하며,상기 분산제는 PVP(poly vinyl pyrrolidone), CTAB(cetyltrimethyl ammonium bromide) 또는 PEG(polyethylene glycol)인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (4)단계에서 총 100 wt% 대비 상기 제2 은 나노입자는 50 wt% 이상이고, 상기 구리 나노입자는 3 내지 20 wt% 인 것을 특징으로 하는 전자소자 접착용 조성물의 제조방법
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