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3차원 탄소 플라워 구조의 전도성 지지체; 및상기 전도성 지지체 상에 위치하는 Mo2C 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 Mo2C 나노입자는 상기 3차원 탄소 플라워 구조의 일단에 위치하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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제 1항에 있어서,상기 3차원 탄소 플라워는 질소가 도핑된 탄소 플라워인 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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제 1항에 있어서,상기 전도성 지지체는 다공성 구조체인 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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제 1항에 있어서, 상기 Mo2C 나노입자의 크기는, 1nm 내지 100nm의 크기분포 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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제 1항에 있어서, 상기 슈퍼 커패시터용 전극 소재는 1 A/g의 전류밀도에서 1250 F/g이상의 전기용량을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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3차원 탄소 플라워 구조의 Mo-PDA(Molybdenum poly-dopamine) 전구체를 준비하는 단계; 및상기 Mo-PDA(Molybdenum poly-dopamine) 전구체를 열처리 하여 3차원 탄소 플라워 구조의 전도성 지지체 상에 Mo2C 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 3차원 탄소 플라워 구조의 Mo-PDA(Molybdenum poly-dopamine) 전구체를 100몰% 기준으로 상기 Mo2C 나노입자 함량이 8몰% 내지 12몰%인 것을 특징으로 하고,상기 Mo2C 나노입자는 상기 3차원 탄소 플라워 구조의 일단에 형성되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 Mo-PDA전구체를 열처리 하는 단계는 1℃/min내지 5℃/min 의 온도상승률로 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 Mo-PDA전구체를 열처리 하는 단계는 600℃ 내지 800℃의 온도에서 1시간 내지 5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 Mo-PDA전구체를 열처리 하는 단계는 질소가스 분위기 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 Mo2C 나노입자는 상기 3차원 탄소플라워 구조의 전도성 지지체 상에 침탄된 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 Mo-PDA전구체를 준비하는 단계는,폴리도파민(PDA)과 산화 몰리브데넘을 교반하여 혼합물을 형성하는 단계;상기 혼합물을 환류하여 Mo-PDA를 생산하는 단계; 상기 환류한 Mo-PDA를 원심분리하여 침전하는 단계; 및상기 침전된 Mo-PDA를 물 및 에탄올로 반복세척 하여 Mo-PDA전구체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 혼합물을 환류하여 Mo-PDA를 생산하는 단계는 20℃ 내지 50℃ 온도에서 10시간 내지 15시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 슈퍼 커패시터용 전극 소재는 1A/g의 전류밀도에서 1250F/g이상의 전기용량을 갖는 것을 특징으로 하는 슈퍼 커패시터용 전극 소재 제조방법
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제6항의 제조방법으로 제조된 슈퍼 커패시터용 전극 소재
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