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복수의 PMOS 트랜지스터를 구비하고, 전원단으로부터 공급된 전원이 공정 및 온도의 변화에도 일정한 전류로 출력되도록 자가 보상을 하는 공급 전류원;상기 공급 전류원으로부터 자가 보상된 전류를 공급받고, 상기 자가 보상된 전류에 대한 주파수를 발진하는 인버터부; 및상기 인버터부로부터 발진된 발진 주파수에 대한 전류를 출력하는 싱크 전류원;을 포함하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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복수의 PMOS 트랜지스터를 구비하고, 전원단으로부터 공급된 전원이 공정 및 온도의 변화에도 일정한 전류로 출력되도록 제1 자가 보상을 하는 공급 전류원;상기 공급 전류원으로부터 제1 자가 보상된 전류를 공급받고, 상기 제1 자가 보상된 전류에 대한 주파수를 발진하는 인버터부; 및복수의 NMOS 트랜지스터를 구비하고, 상기 인버터부로부터 발진된 발진 주파수에 대한 전류가 공정 및 온도의 변화에도 일정한 전류로 출력되도록 제2 자가 보상한 후, 상기 제2 자가 보상된 전류를 출력하는 싱크 전류원;을 포함하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 공급 전류원은,드레인단이 상기 전원단과 연결되고, 게이트단이 임계전압을 공급하는 임계치 공급단과 연결되며, 소스단이 상기 인버터부와 연결되는 제1 PMOS 트랜지스터;드레인단이 상기 전원단과 연결되고, 게이트단이 임계전압을 공급하는 임계치 공급단과 연결되는 제2 PMOS 트랜지스터;드레인단이 상기 전원단과 연결되고, 게이트단이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스단과 연결되며, 소스단이 상기 인버터부와 연결되는 제3 PMOS 트랜지스터; 및일단이 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 소스단과 연결되고, 타단이 그라운드(GND)와 연결되는 제1 저항;를 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 3항에 있어서,상기 공급 전류원은,상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터를 동일한 스펙(spec)으로 구비하고, 공통중심(common centroid)구조로 레이아웃(layout)하는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 3항에 있어서,상기 공급 전류원은,상기 공정 및 온도의 변화에 따라 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 전류가 동일한 방향으로 변화되고, 상기 제3 PMOS 트랜지스터의 전류가 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 전류와 반대 방향으로 변화되는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 2항에 있어서,상기 싱크 전류원은,일단이 상기 전원단과 연결되는 제2 저항;드레인단이 상기 인버터부와 연결되고, 게이트단이 임계전압을 공급하는 임계치 공급단과 연결되며, 소스단이 그라운드와 연결되는 제1 NMOS 트랜지스터;드레인단이 상기 제2 저항의 타단과 연결되고, 게이트단이 임계전압을 공급하는 임계치 공급단과 연결되며, 소스단이 그라운드와 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터; 및드레인단이 상기 인버터부와 연결되고, 게이트단이 상기 제2 저항의 타단과 연결되며, 소스단이 그라운드와 연결되는 제3 NMOS 트랜지스터; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 6항에 있어서,상기 싱크 전류원은,상기 제1 NMOS 트랜지스터 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터를 동일한 스펙으로 구비하고, 공통중심구조로 레이아웃하는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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제 6항에 있어서,상기 싱크 전류원은,상기 공정 및 온도의 변화에 따라 상기 제1 NMOS 트랜지스터 및 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 전류가 동일한 방향으로 변화되고, 상기 제3 NMOS 트랜지스터의 전류가 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 전류와 반대 방향으로 변화되는 것을 특징으로 하는 부가 기반 전류원을 이용한 링 발진기
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