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레독스 흐름 전지용 분리막, 레독스 흐름 전지용 제조방법, 및 레독스 흐름 전지

  • 기술번호 : KST2019002091
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 레독스 흐름 전지에서 높은 내구성, 낮은 내부 저항, 및 충전된 활물질의 낮은 크로스 오버의 특성으로 높은 전지 효율을 보유할 수 있는 레독스 흐름 전지의 분리막, 레독스 흐름 전지의 분리막의 제조 방법 및 레독스 흐름 전지에 관한 것이다.
Int. CL H01M 8/0241 (2016.01.01) H01M 8/0245 (2016.01.01) H01M 8/0239 (2016.01.01) H01M 8/18 (2015.01.01)
CPC H01M 8/0241(2013.01) H01M 8/0241(2013.01) H01M 8/0241(2013.01) H01M 8/0241(2013.01)
출원번호/일자 1020170113579 (2017.09.05)
출원인 롯데케미칼 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0026530 (2019.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.05)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 롯데케미칼 주식회사 대한민국 서울특별시 송파구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정민석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김혜선 대한민국 대전광역시 유성구
3 박상선 대한민국 대전광역시 유성구
4 김희탁 대한민국 경기도 안양시 동안구
5 김리율 대한민국 대전광역시 유성구
6 김현규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0863189-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5201195-64
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0104444-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0569417-30
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1042797-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1167953-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1167952-15
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0232302-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0445109-07
12 법정기간연장승인서
2019.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0074146-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2019-5150087-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다공성 기재; 및상기 다공성 기재의 기공 내에 채워진 이온 전도성 수지를 포함하며,상기 이온 전도성 수지는 친수성 이온 클러스터(cluster)를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
2 2
제1항에 있어서,상기 친수성 이온 클러스터는, 소각 X-선 산란(SAXS; Small-angle X-ray scattering)으로 측정하여 얻어지는 친수성 이온 클러스터의 직경이 5
3 3
제1항에 있어서,상기 소각 X-선 산란(SAXS; Small-angle X-ray scattering)으로 측정하여 얻어지는 하기 일반식1에 따른 상기 친수성 이온 클러스터의 직경(d c)이 5
4 4
제1항에 있어서,상기 다공성 기재의 적어도 일면에 위치하는 코팅층을 더 포함하며,상기 코팅층은 이온 전도성 수지를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
5 5
제4항에 있어서,상기 코팅층 및 다공성 기재의 두께비는 1: 3 내지 300인, 레독스 흐름 전지용 분리막
6 6
제1항에 있어서,상기 다공성 기재는 평균 기공율이 30 내지 70부피%이고, 상기 다공성 기재는 기공이 평균 입경이 10 내지 200nm인, 레독스 흐름 전지용 분리막
7 7
제1항에 있어서,상기 다공성 기재는 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리비닐리덴플로라이드, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리벤즈 옥사졸, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리술폰 및 폴리에테르술폰으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
8 8
제1항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 술폰화 테트라플루오로에틸렌계 고분자(sulfonated tetrafluoroethylene-based polymer), 술폰화 폴리이미드(sulfonated polyimide, sPI), 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated poly(arylene ether sulfone), sPAES), 술폰화 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone, sPEEK), 술폰화 폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone, sPEK), 폴리비닐리덴 플로라이드-그라프트-폴리스티렌 술폰산(poly(vinylidene fluoride)-graft-poly(styrene sulfonic acid), PVDF-g-PSSA) 및 술폰화 폴리플루오레닐 에테르케톤(sulfonated poly(fluorenyl ether ketone))으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
9 9
제8항에 있어서,상기 술폰화 테트라플루오로에틸렌계 고분자는 나피온(Nafion?, Dupont), 아퀴비온(Aquivion?, Solvay), 플레미온(FlemionTM, AGC chemicals company), 또는 아시플렉스(AciplexTM, Asahi Kasei)인, 레독스 흐름 전지용 분리막
10 10
제1항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 함량이, 분리막 총 중량에 있어서, 20 내지 70중량%인, 레독스 흐름 전지용 분리막
11 11
제1항에 있어서,상기 다공성 기재의 기공에 채워진 실리카를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
12 12
제11항에 있어서,상기 실리카는 습식 실리카, 건식 실리카 또는 이들의 혼합물이고,상기 습식 실리카는 평균 입경이 100 내지 200nm이고, 상기 건식 실리카는 평균 입경이 4 내지 30nm인, 레독스 흐름 전지용 분리막
13 13
다공성 기재의 기공 내에 이온 전도성 수지, 프로필렌 카보네이트 및 유기 용매를 포함하는 이온 전도성 수지 용액을 채우는 단계;상기 이온 전도성 수지 용액이 상기 기공 내에 채워진 다공성 기재를 건조하는 단계; 및상기 건조된 다공성 기재를 탈이온수에 함침하여 상기 프로필렌 카보네이트를 제거하는 단계를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 함량이, 이온 전도성 수지 용액 총 중량에 대하여, 2 내지 20중량%이고,상기 프로필렌 카보네이트는 함량이, 이온 전도성 수지 용액 총 중량에 대하여, 1 내지 50중량%인, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
15 15
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지 용액은 실리카를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
16 16
제13항에 있어서,상기 유기 용매는 n-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세타미드(DMAc), 디프로필렌글리콜(DPG), 에틸렌글리콜(EG), 프로필렌글리콜(PG) 및 이소프로필알코올(IPA)로 구성되는 그룹으로부터 1종 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막의 제조 방법
17 17
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지 용액이 상기 기공 내에 채워진 다공성 기재의 적어도 일면에 상기 이온 전도성 수지 용액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막의 제조 방법
18 18
제13항에 있어서,상기 프로필렌 카보네이트가 제거된 다공성 기재를 물, 황산 및 과산화수소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 용액에 침지하는 후처리 단계를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
19 19
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 분리막을 포함하는, 레독스 흐름 전지
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2019050272 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019050272 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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