1 |
1
다공성 기재; 및상기 다공성 기재의 기공 내에 채워진 이온 전도성 수지를 포함하며,상기 이온 전도성 수지는 친수성 이온 클러스터(cluster)를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 친수성 이온 클러스터는, 소각 X-선 산란(SAXS; Small-angle X-ray scattering)으로 측정하여 얻어지는 친수성 이온 클러스터의 직경이 5
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 소각 X-선 산란(SAXS; Small-angle X-ray scattering)으로 측정하여 얻어지는 하기 일반식1에 따른 상기 친수성 이온 클러스터의 직경(d c)이 5
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 다공성 기재의 적어도 일면에 위치하는 코팅층을 더 포함하며,상기 코팅층은 이온 전도성 수지를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 코팅층 및 다공성 기재의 두께비는 1: 3 내지 300인, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 다공성 기재는 평균 기공율이 30 내지 70부피%이고, 상기 다공성 기재는 기공이 평균 입경이 10 내지 200nm인, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 다공성 기재는 폴리프로필렌, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리비닐리덴플로라이드, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리벤즈 옥사졸, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리술폰 및 폴리에테르술폰으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 술폰화 테트라플루오로에틸렌계 고분자(sulfonated tetrafluoroethylene-based polymer), 술폰화 폴리이미드(sulfonated polyimide, sPI), 술폰화 폴리아릴렌에테르술폰(sulfonated poly(arylene ether sulfone), sPAES), 술폰화 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone, sPEEK), 술폰화 폴리에테르케톤(sulfonated polyetherketone, sPEK), 폴리비닐리덴 플로라이드-그라프트-폴리스티렌 술폰산(poly(vinylidene fluoride)-graft-poly(styrene sulfonic acid), PVDF-g-PSSA) 및 술폰화 폴리플루오레닐 에테르케톤(sulfonated poly(fluorenyl ether ketone))으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 술폰화 테트라플루오로에틸렌계 고분자는 나피온(Nafion?, Dupont), 아퀴비온(Aquivion?, Solvay), 플레미온(FlemionTM, AGC chemicals company), 또는 아시플렉스(AciplexTM, Asahi Kasei)인, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
10 |
10
제1항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 함량이, 분리막 총 중량에 있어서, 20 내지 70중량%인, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
11 |
11
제1항에 있어서,상기 다공성 기재의 기공에 채워진 실리카를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 실리카는 습식 실리카, 건식 실리카 또는 이들의 혼합물이고,상기 습식 실리카는 평균 입경이 100 내지 200nm이고, 상기 건식 실리카는 평균 입경이 4 내지 30nm인, 레독스 흐름 전지용 분리막
|
13 |
13
다공성 기재의 기공 내에 이온 전도성 수지, 프로필렌 카보네이트 및 유기 용매를 포함하는 이온 전도성 수지 용액을 채우는 단계;상기 이온 전도성 수지 용액이 상기 기공 내에 채워진 다공성 기재를 건조하는 단계; 및상기 건조된 다공성 기재를 탈이온수에 함침하여 상기 프로필렌 카보네이트를 제거하는 단계를 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
|
14 |
14
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지는 함량이, 이온 전도성 수지 용액 총 중량에 대하여, 2 내지 20중량%이고,상기 프로필렌 카보네이트는 함량이, 이온 전도성 수지 용액 총 중량에 대하여, 1 내지 50중량%인, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
|
15 |
15
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지 용액은 실리카를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
|
16 |
16
제13항에 있어서,상기 유기 용매는 n-메틸-2-피롤리돈(NMP), N,N-디메틸아세타미드(DMAc), 디프로필렌글리콜(DPG), 에틸렌글리콜(EG), 프로필렌글리콜(PG) 및 이소프로필알코올(IPA)로 구성되는 그룹으로부터 1종 이상을 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막의 제조 방법
|
17 |
17
제13항에 있어서,상기 이온 전도성 수지 용액이 상기 기공 내에 채워진 다공성 기재의 적어도 일면에 상기 이온 전도성 수지 용액을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막의 제조 방법
|
18 |
18
제13항에 있어서,상기 프로필렌 카보네이트가 제거된 다공성 기재를 물, 황산 및 과산화수소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 용액에 침지하는 후처리 단계를 더 포함하는, 레독스 흐름 전지용 분리막 제조방법
|
19 |
19
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 분리막을 포함하는, 레독스 흐름 전지
|