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가시광 및 적외선 파장 대역의 빛을 투과시키는 기판 상에 형성되는 광학 패턴을 포함하고,상기 광학 패턴은,상기 광학 패턴의 내부에 형성되는 공극 패턴;상기 기판 상에 형성되고, 상기 공극 패턴을 둘러싸는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층 상에 형성되는 금속층을 포함하고,상기 금속층의 두께의 조절을 통하여 광의 흡수 파장 대역이 제어되며,상기 광학 패턴은 상기 기판 상에 상기 공극 패턴이 형성되지 않는 부분인 오픈 영역의 크기에 따라 광의 복사 파장 대역을 조절하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속층의 두께의 조절을 통하여 광터널링에 의해 광의 흡수율이 제어되어, 가시광 및 적외선 파장대역의 광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 광학 패턴은 상기 금속층 상에 형성되는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제3항에 있어서, 상기 제2 절연층은 상기 제1 절연층과 동일한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 광학 패턴은 격자 구조인 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass), 사파이어(sapphire), 석영(quartz) 알루미늄 산화물(Al2O3), 하프늄 산화물(HfO2), 티타늄 산화물(TiO2), 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 질화물(SiN) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 절연층 또는 제2 절연층은 알루미늄 산화물(Al2O3), 하프늄 산화물(HfO2), 티타늄 산화물(TiO2), 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 질화물(SiN) 및 실리콘 질화물(Si3N4) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속층은 텅스텐(W), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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제1항에 있어서, 상기 광학 소자는 가시광 또는 적외선 파장 대역의 광을 흡수하여 특정 파장대역의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자
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기판 상에 돌출 패턴을 갖는 희생층 패턴을 형성하는 단계;상기 희생층 패턴 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;열처리 공정으로 상기 희생층 패턴을 제거하여 공극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계 를 포함하고,상기 금속층의 두께의 조절을 통하여 광의 흡수 파장 대역이 제어되는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 열처리 공정은 500K 내지 1300K의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 제1 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계는,상기 금속층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공극 패턴을 포함하는 광학 소자의 제조 방법
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