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양자 메모리에 있어서, 세 개의 에너지 준위 |1003e#, |2003e# 및 |3003e#를 가지며, 광펄스 발생부(20)로부터 광펄스를 입력 받아 위상맞춤 조건을 만족하는 출력광(e1) 및 최종 출력광(e2)을 생성하는 광매질(10); 및상기 광매질(10)의 에너지 준위 사이에서 공진하는 최소 6개의 광펄스를 생성하는 광펄스 발생부(20);를 포함하며, 상기 최소 6개의 광펄스는, 상기 광매질(10)의 에너지 준위 |1003e#과 |2003e#사이에서 공진하는 입력광(D)과 재위상화광 1(R1)과 재위상화광 2(R2) 중 어느 하나 이상 을 포함하는 제1 광펄스군;제1 ac Stark광(AC 1)과 제2 ac Stark 광(AC 2)를 포함하는 제2 광펄스군; 및상기 광매질(10)의 에너지 준위 |2003e#와 |3003e# 사이에서 공진하는 조절광(C)을 포함하는 제3 광펄스군;을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자 메모리
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제1항에 있어서,상기 세 개의 에너지 준위는 바닥상태인 |1003e# 와 들뜬 상태인 |2003e#와 보조 상태인 |3003e#인 것;을 특징으로 하는 양자 메모리
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제1항에 있어서,상기 출력광(e1)은 상기 제1 ac Stark광(AC 1)으로 인해 발생억제(silent)되는 것;을 특징으로 하는 양자 메모리
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제1항에 있어서,상기 최종 출력광(e2)는 상기 조절광(C)에 의해 결맞음 반전되어 방출(emissive)되는 것;을 특징으로 하는 양자 메모리
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제5항에 있어서,상기 조절광(C)은 시간 지연된 두 개의 π 펄스쌍으로 분리되어 광매질(10)로 입사되는 것;을 특징으로 하는 양자 메모리
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제6항에 있어서,상기 두 개의 조절광(C)은 서로 반대 방향으로 광매질(10)로 입사하는 것;을 특징으로 하는 양자 메모리
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(a) 입력광(D)이 광매질(10)로 입사하여 위상격자(광결맞음)을 만드는 단계;(b) 제1 ac Stark광(AC 1)이 광매질(10)로 입사하는 단계; (c) 재위상화광 1(R1)이 광매질(10)로 입사하여 상기 위상격자의 위상전개를 거꾸로 하는 단계; (d) 출력광(e1)이 생성되는 단계; (e) 제2 ac Stark광(AC 2)이 광매질(10)로 입사하여 제1 ac Stark(AC 1)에의해 생성된 위상첨가를 해소하는 단계;(f) 재위상화광 2(R2)이 광매질(10)로 입사하는 단계; (g) 조절광(C)이 광매질(10)로 입사하여 위상반전하는 단계;(h) 최종 출력광(e2)이 상기 조절광(C)에 의해 생성 방출되는 단계;를 포함하는 이중 재위상 포톤 에코 구도에서의 포톤 에코 방법
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제8항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 출력광(e1)은 상기 제1 ac Stark광(AC 1)에 의해 발생억제(silent)되는 것;을 특징으로 하는 포톤 에코 방법
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제8항에 있어서,상기 (g) 단계에서 상기 조절광(C)은, (f) 단계에서 재위상화광 2(R2) 입사 이후, 최종 출력광(e2) 발생 이내에 입사되는 것;을 특징으로 하는 포톤 에코 방법
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제8항에 있어서,상기 (g) 단계에서 상기 조절광(C)의 펄스면적을 (2(2n-1))π로 유지되는 것;을 특징으로 하는 포톤 에코 방법
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제8항에 있어서,상기 (g) 단계에서 상기 조절광(C)은 2개의 π 펄스 쌍으로 나뉘어 입사되는 것;을 특징으로 하는 포톤 에코 방법
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제8항에 있어서,상기 (h) 단계에서 최종 출력광(e2)은 조절광(C)에 의해 결맞음 반전되어 방출(emissive)되는 것;을 특징으로 하는 포톤 에코 방법
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