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유연 기판 상에 롤투롤 그라비아, 옵셋, 그라비아-옵셋, 리버스 옵셋, 스크린 인쇄 방식 중 적어도 하나의 방식으로 형성된 복수의 박막트랜지스터들이 매트릭스 형태로 구성된 박막트랜지스터 어레이, 및 상기 박막트랜지스터 어레이와 연결된 복수의 감지 저항들로 구성된 감지부;상기 감지 저항들로부터 감지된 복수의 감지 신호들을 수신하고, 클럭 신호를 상기 복수의 감지 신호들을 직렬화한 신호에 상응하는 감지 출력신호로 제공하는 변환부; 및상기 감지 출력신호를 전달하는 전달부를 포함하는 인공 신경 회로
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제1 항에 있어서,상기 변환부는,상기 복수의 감지 신호들을 획득하여 복수의 감지 입력전압으로 제공하는 데이터 수집회로;상기 감지 입력전압을 각각 입력 신호로 입력받는 순차적으로 연결된 복수의 인버터들을 포함하여, 상기 클럭 신호를 상기 직렬화한 감지 출력신호로 제공하는 직렬 변환회로; 및상기 클럭 신호를 제공하는 클럭 생성회로를 포함하는, 인공 신경 회로
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제2 항에 있어서,상기 순차적으로 연결된 복수의 인버터들은, 직렬로 연결된 분배 저항, 및 상기 감지 입력전압에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되는 스위칭 트랜지스터를 포함하며,상기 복수의 인버터들 각각은 이전 인버터의 분배 저항 및 스위칭 트랜지스터 사이의 노드와 접지전압 사이에 연결되고,최선단 인버터는 상기 클럭 신호와 접지전압 사이에 연결되고, 최말단 인버터의 분배 저항 및 스위칭 트랜지스터 사이의 노드로부터 상기 감지 출력신호가 제공되는, 인공 신경 회로
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제3 항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터는 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터를 포함하는, 인공 신경 회로
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제2 항에 있어서,상기 순차적으로 연결된 복수의 인버터들은,직렬로 연결된 NMOS 및 PMOS 트랜지스터로 구성되어 각각이 상기 감지 입력전압에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되는 CMOS 트랜지스터를 포함하며,상기 복수의 인버터들 각각은, 이전 인버터의 상기 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 사이의 노드와 접지전압 사이에 연결되고, 최선단 인버터는 상기 클럭 신호와 접지전압 사이에 연결되고, 최말단 인버터의 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 사이의 노드로부터 상기 감지 출력신호가 제공되는, 인공 신경 회로
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제3항 또는 제5 항에 있어서,상기 전달부는상기 유연 기판 상에 실리콘 기반 기술 또는 인쇄전자 기술로 형성되는 하나의 신호선을 포함하는, 인공 신경 회로
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박막트랜지스터 및 감지 저항으로 구성된 감지 픽셀들이 유연 기판 상에 매트릭스 형성된 감지부로부터 획득한 복수의 감지 신호들을 수신하고, 클럭 신호를 상기 복수의 감지 신호들을 직렬화한 신호에 상응하는 감지 출력 신호로 변환하여 하나의 신호 선으로 전달하는 인공 신경 회로; 및 상기 인공 신경 회로로부터 전달받은 감지 출력 신호에 기초하여 상기 감지 신호가 획득된 위치 및 감지 신호의 획득 시간을 도출하는 중앙처리장치를 포함하는 인공 신경 시스템
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제7 항에 있어서,상기 인공 신경 회로는,상기 감지 픽셀들로부터 상기 복수의 감지 신호들을 수신하여 상기 클럭 신호를 상기 복수의 감지 신호들을 직렬화한 신호에 상응하는 감지 출력 신호로 제공하는 변환부는,상기 복수의 감지 신호들을 획득하여 복수의 입력 감지전압으로 제공하는 데이터 수집회로;상기 입력 감지전압을 각각 입력받아 클럭 신호를 상기 직렬화한 감지 출력신호로 제공하는 순차적으로 연결된 복수의 인버터들을 포함한 직렬 변환회로; 및상기 클럭 신호를 제공하는 클럭 생성회로를 포함하는 인공 신경 시스템
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제8 항에 있어서,상기 중앙처리장치는,상기 복수의 인버터들을 구성하는 트랜지스터들의 문턱 전압, 및 상기 클럭 신호의 감쇄율에 기초하여 상기 감지 신호가 획득된 위치를 판단하는, 인공 신경 시스템
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