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기판상에 음각 자성재료층을 형성하는 단계;상기 음각 자성재료층 상으로 반자성 물질을 포함하는 자성유체를 도포하는 단계; 상기 자성유체가 도포된 자성재료층에 대하여 외부 자기장을 인가하는 단계; 및상기 반자성 물질이 상기 음각 자성재료층의 테두리를 따라 이동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서,상기 음각 자성재료층의 소재는 코발트, 철, 니켈 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서,상기 음각 자성재료층을 형성하는 단계는 포토 리소그래피 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서,상기 반자성 물질은 고분자 비드 또는 세포인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서,상기 자성유체는 산화철 입자를 자성입자로 포함하는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서, 상기 자성유체의 자화율은 0
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제1항에 있어서,상기 외부 자기장은 300 Oe 내지 1000 Oe 의 범위에서 인가되는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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제1항에 있어서,상기 외부 자기장을 인가하는 단계는 외부 자기장을 인가하고 자기장의 방향을 회전시키는 단계인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동방법
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반자성 물질 영동부; 및외부 자기장 인가부;를 포함하되,상기 반자성 물질 영동부는기판;상기 기판 상에 형성되고 음각 패턴이 형성되어 상기 패턴의 테두리를 따라 반자성 물질의 이동을 유도하는 자성재료층; 및상기 자성재료층 상에 형성되고 반자성 물질을 포함하는 자성유체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서,상기자성재료층의 소재는 코발트, 철, 니켈 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서,상기 반자성 물질은 고분자 비드 또는 세포인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서,상기 자성유체층에 포함되는 자성유체는 산화철 입자를 자성입자로 포함하는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서,상기 자성유체층에 포함되는 자성유체의 자화율은 0
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제9항에 있어서,상기 외부 자기장 인가부는 300 Oe 내지 1000 Oe 의 범위에서 외부 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서, 상기 자성재료층에 형성된 음각 패턴은 원형, 타원형, 반원형, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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제9항에 있어서, 상기 자성재료층에 형성된 음각 패턴은 반원형 패턴이 연속적으로 이어지고, 연속되는 반원형 패턴의 각각의 오목부에 점 형태의 패턴이 추가되어 있는 것을 특징으로 하는 비표지 반자성 물질의 자기영동장치
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