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하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자
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삭제
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제1항에 있어서,R5 내지 R8은 같거나 서로 다르고, R5 내지 R8은 각각 독립적으로 C1 내지 C20 직쇄형 알킬기인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 도너-억셉터 (Donor-Acceptor) 타입의 고분자인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자
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제1항의 전도성 고분자를 포함하는 유기전자소자
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6
제5항에 있어서,상기 유기전자소자는 유기태양전지, 유기박막트랜지스터 및 유기발광다이오드 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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7
제6항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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8
제7항에 있어서,상기 유기태양전지가제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하고상기 광활성층은 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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9
제8항에 있어서,상기 제1 전극이 인듐 틴 옥사이드(ITO) 및 플루오린 틴 옥사이드(FTO) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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10
제8항에 있어서,상기 제2 전극이 Au, Al, Fe, Ag, Cu, Cr, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자소자
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하기 구조식 2로 표시되는 화합물, 하기 구조식 3으로 표시되는 화합물 및 하기 구조식 4로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 구조식 1로 표시되는 전도성 고분자를 제조하는 전도성 고분자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전도성 고분자의 제조방법은,(a) 상기 구조식 2로 표시되는 화합물, 상기 구조식 3으로 표시되는 화합물 및 상기 구조식 4로 표시되는 화합물에 촉매를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합물에 용매를 용해시켜 혼합용액을 제조하는 단계; 및(c) 상기 혼합물을 가열하여 반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 촉매가 Pd2(dba)3(Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium), P(o-tol)3(tri(o-tolyl)phosphine), Pd(PPh3)4(Tetrakis(triphenylphosphine)palladium) 및 Pd(OAc)2(Palladium(II) acetate) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 용매가 클로로벤젠, 톨루엔, 벤젠, 헥산, 나프탈렌, 에틸벤젠, 디클로로벤젠, 디클로로메탄, 트리클로로메탄, 테트라클로로메탄, 사이클로헥산 및 사염화탄소 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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제12항에 있어서,단계 c가 80 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 고분자의 제조방법
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제11항의 전도성 고분자의 제조방법을 포함하는 유기전자소자의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 유기전자소자가 유기태양전지인 것을 특징으로 하는 유기전자소자의 제조방법
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