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리튬 이차전지에 사용되는 리튬 금속 전극으로서,리튬 금속층;상기 리튬 금속층의 상부에 형성되고, 리튬-실리콘 합금(Lithium silicide)층 및 리튬실리콘옥사이드(Lithiated Silicon Oxide, LSO)층을 포함하는 제1 박막층; 및상기 제1 박막층의 상부에 형성되고, 산화실리콘(SiOx)을 포함하는 제2 박막층을 포함하고,상기 제1 박막층 및 상기 제2 박막층은 전자 싸이클로트론 공명 화학기상증착법(electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition, ECR-CVD)을 통해 형성되며,상기 제1 박막층의 상기 리튬-실리콘 합금층의 두께는 1nm 내지 3nm,상기 제1 박막층의 상기 리튬실리콘옥사이드층은 두께가 40nm 내지 50nm,상기 제2 박막층의 두께는 70nm 내지 100nm인, 리튬 금속 전극
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제1항에 있어서,상기 제2 박막층의 산화실리콘은 실리카(SiO2, Silica)인, 리튬 금속 전극
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제1항에 있어서,상기 리튬실리콘옥사이드층은 상기 리튬-실리콘 합금층의 상부에 형성되는, 리튬 금속 전극
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제1항에 있어서,상기 리튬실리콘옥사이드는 LixSiyOz의 조성을 가지며,상기 조성에서, x, y 및 z는 각각 2≤x≤6, 1≤y≤2, 3≤z≤7인, 리튬 금속 전극
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제1항에 있어서,상기 제1 박막층 및 제2 박막층은, 리튬 금속층의 표면에서 리튬 덴드라이트(Lithium dendrite)의 성장을 억제하는, 리튬 금속 전극
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제10항에 있어서,상기 리튬 금속층의 표면에서 발생하는 리튬 이온이 상기 제2 박막층과의 합금반응을 통해 제1 박막층이 형성됨에 따라, 리튬 덴드라이트의 성장을 억제하는, 리튬 금속 전극
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리튬 이차전지에 사용되는 리튬 금속 전극의 제조방법으로서,(a) 리튬 금속층을 반응 챔버 내에 준비하는 단계;(b) 상기 반응 챔버 내로 상기 리튬 금속층 상부에 기체 상태의 실리콘 전구체와 산소(O2) 가스를 주입하는 단계; 및(c) 전자 싸이클로트론 공명 화학기상증착법(electron cyclotron resonance-chemical vapor deposition, ECR-CVD)을 통해, 상기 리튬 금속층의 상부에 실리콘계 박막층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (b)단계에서, 상기 실리콘 전구체 및 상기 산소가스는 상기 전자 싸이클로트론 공명 플라즈마가 형성된 영역의 하부에 주입되며,실리콘계 박막층은,리튬-실리콘 합금(Lithium silicide)층 및 리튬실리콘옥사이드(Lithiated Silicon Oxide, LSO)층을 포함하는 제1 박막층; 및상기 제1 박막층의 상부에 형성되고, 산화실리콘(SiOx)을 포함하는 제2 박막층을 포함하며,상기 제1 박막층의 상기 리튬-실리콘 합금층의 두께는 1nm 내지 3nm,상기 제1 박막층의 상기 리튬실리콘옥사이드층은 두께가 40nm 내지 50nm,상기 제2 박막층의 두께는 70nm 내지 100nm인, 리튬 금속 전극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 실리콘 전구체는 실란(SiH4)가스인, 리튬금속전지용 전극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 (c)단계에서, 800 Gauss 내지 950 Gauss의 자기장을 상기 반응 챔버 내에 인가하고, 800W 내지 900W의 마이크로파를 상기 반응 챔버 내로 도입하여, 전자의 회전진동수와 마이크로파의 공명현상을 발생시키는, 리튬 금속 전극의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 증착은 1분 내지 10분간 수행하는, 리튬 금속 전극의 제조방법
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제1항의 리튬 금속 전극을 포함하는, 리튬이차전지
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