| 1 |
1
레이저를 방출하는 광원부; 상기 레이저를 수용하여 하전 입자를 방출하는 타겟층; 및상기 타겟층 상에 배치되어 상기 레이저를 집속시키는 포커싱 구조체를 포함하되, 상기 포커싱 구조체는:상기 타겟층의 상면 상에서 상기 타겟층과 멀어지는 방향으로 연장된 솔리드 막들; 및 상기 솔리드 막들의 사이에 배치되고 다공성 구조를 갖는 공극부를 포함하고,상기 포커싱 구조체는 탄소보다 원자번호가 높은 물질을 포함하는 하전 입자 발생 장치
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 포커싱 구조체는 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)을 포함하는 하전 입자 발생 장치
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 포커싱 구조체는 상기 솔리드 막들 및 상기 공극부를 둘러싸는 금속막을 더 포함하고, 상기 금속막은 탄소보다 원자번호가 높은 물질을 포함하는 하전 입자 발생 장치
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 솔리드 막들은 상기 타겟층의 상면과 평행한 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 솔리드 막들의 각각은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 하전 입자 발생 장치
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 공극부는 다수의 공극들 및 상기 공극들을 둘러싸는 경계막을 포함하고,상기 경계막은 메시 형태를 갖는 하전 입자 발생 장치
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 공극부는 다수의 공극들 및 상기 공극들을 둘러싸는 경계막을 포함하고,상기 경계막은 상기 솔리드 막들의 각각의 일측벽 및 타측벽으로부터 각각 돌출된 제1 서브 경계막들 및 제2 서브 경계막들을 포함하되, 상기 제1 서브 경계막들은 상기 타겟층의 상기 상면에 수직한 제3 방향으로 배열되고, 상기 제2 서브 경계막들은 상기 제3 방향으로 배열되고, 상기 제2 서브 경계막들의 각각은 상기 제1 서브 경계막들 사이에 배치되는 하전 입자 발생 장치
|
| 7 |
7
레이저를 수용하는 제1 면 및 하전 입자를 방출하는 제2 면을 갖는 타겟층;상기 타겟층의 제1 면으로부터 상기 타겟층과 멀어지는 방향으로 연장된 솔리드 막들; 및상기 솔리드 막들의 사이에 배치되고 다공성 구조를 갖는 공극부를 포함하되,상기 솔리드 막들은 상기 타겟층의 제1 면과 평행한 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 솔리드 막들의 각각은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되고,상기 솔리드 막들 및 상기 공극부는 탄소보다 원자번호가 높은 물질을 포함하는 타겟 구조체
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 솔리드 막들 및 상기 공극부는 알루미늄(Al) 또는 아연(Zn)을 포함하는 타겟 구조체
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 솔리드 막들 및 상기 공극부를 둘러싸는 금속막을 더 포함하고, 상기 금속막은 탄소보다 원자번호가 높은 물질을 포함하는 타겟 구조체
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서,상기 공극부는 상기 솔리드 막들 중 서로 인접한 두 솔리드 막들을 연결하는 메시 형상의 경계막 및 상기 경계막에 의해 정의되는 다수의 공극들을 포함하는 타겟 구조체
|
| 11 |
11
제 7 항에 있어서,상기 솔리드 막들은 서로 인접한 제1 솔리드 막 및 제2 솔리드 막을 포함하고,상기 공극부는 상기 제1 솔리드 막으로부터 상기 제2 솔리드 막을 향하여 돌출된 제1 서브 경계막들 및 상기 제2 솔리드 막으로부터 상기 제1 솔리드 막을 향하여 돌출된 제2 서브 경계막들을 포함하되,상기 제1 서브 경계막들 및 상기 제2 서브 경계막들은 상기 타겟층과 멀어지는 방향을 따라 교번적으로 배열되는 타겟 구조체
|
