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메모리 셀을 포함하는 TCAM(Ternary Content Addressable Memory) 장치에 있어,상기 메모리 셀은:셀 데이터를 저장하기 위해 프로그램되고, 검색 데이터에 따른 검색 전압을 전압 분배하는 직렬 연결된 제 1 저항 및 제 2 저항을 포함하는 데이터 저장 회로;상기 분배된 전압의 레벨에 따라, 입력 단으로 제공된 상기 분배된 전압을 출력 단으로 전달하는 리미터 회로; 그리고상기 리미터 회로의 상기 출력 단의 전압에 따라, 상기 저장된 셀 데이터가 상기 검색 데이터와 매치(match)되는지 여부를 나타내는 매칭 라인을 디스차지(discharge)하는 디스차지 회로를 포함하는 TCAM 장치
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제 1 항에 있어,상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항 각각은, 상기 저장된 셀 데이터에 따라 고 저항 상태(HRS, High Resistance State) 또는 저 저항 상태(LRS, Low Resistance State)로 프로그램되는 TCAM 장치
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제 2 항에 있어,상기 데이터 저장 회로에 저장된 상기 셀 데이터가 돈 케어(Don't Care) 비트인 경우, 상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항 각각은 상기 고 저항 상태로 프로그램되는 TCAM 장치
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제 1 항에 있어,상기 리미터는, 상기 메모리 셀 외부의 바이어스 회로로부터 게이트 단으로 온 전압을 제공받고, 상기 분배된 전압과 상기 온 전압 사이의 전압 차이에 따라 턴온 또는 턴오프되어, 상기 분배된 전압을 전달하는 제 1 트랜지스터를 포함하는 TCAM 장치
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제 4 항에 있어,상기 제 1 트랜지스터는, 상기 저장된 셀 데이터와 상기 검색 데이터가 미스 매치되는 경우에 턴온되는 TCAM 장치
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검색 데이터에 따른 검색 전압을 데이터 라인에 제공하는 드라이버;셀 데이터를 저장하기 위한 제 1 저항 및 제 2 저항을 포함하고, 상기 제 1 저항 및 상기 제 2 저항에 의해 상기 데이터 라인을 통해 제공된 상기 검색 전압이 분배되고, 상기 분배된 전압을 기초로 상기 검색 데이터가 상기 저장된 셀 데이터와 매치되는지 여부를 판단하는 메모리 셀; 그리고상기 매치 여부에 따라 디스차지되는 매칭 라인을 포함하는 TCAM 장치
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제 6 항에 있어,상기 매치 여부를 판단하기 위해 사용되는 온 전압을 상기 메모리 셀에 제공하는 바이어스 회로를 더 포함하는 TCAM 장치
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제 7 항에 있어,상기 메모리 셀은:상기 분배된 전압을 입력 단으로 제공받고, 상기 온 전압과 상기 분배된 전압의 차이에 따라 상기 입력 단으로 제공된 상기 분배된 전압을 출력 단으로 전달하는 리미터 회로; 그리고상기 리미터 회로의 상기 출력 단의 전압의 레벨에 따라, 상기 매칭 라인의 전압을 디스차지하는 디스차지 회로를 더 포함하는 TCAM 장치
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제 7 항에 있어,상기 바이어스 회로는,더미 데이터 라인 쌍을 통해 제공된 전압을 분배하기 위한, 직렬 연결된 제 3 저항 및 제 4 저항을 포함하는 전압 결정 회로; 그리고상기 제 3 저항 및 상기 제 4 저항에 의해 분배된 전압을 기초로 상기 온 전압을 생성하는 소스 팔로워를 포함하는 TCAM 장치
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메모리 셀을 포함하는 TCAM의 동작 방법에 있어,상기 메모리 셀에 검색 데이터에 따른 검색 전압을 제공하는 단계;상기 메모리 셀 내의 직렬 연결된 제 1 저항 및 제 2 저항에 의해, 상기 검색 전압이 분배되는 단계;상기 메모리 셀 내의 리미터 회로에 의해, 상기 분배된 전압의 레벨에 따라 상기 분배된 전압을 상기 메모리 셀 내의 디스차지 회로로 전달하는 단계; 그리고상기 디스차지 회로에 의해, 상기 전달된 전압에 따라 매칭 라인이 디스차지되는 단계를 포함하는 동작 방법
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