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기판 상에 은(Ag)을 포함하는 Ag 층을 배치하는 단계 (A);상기 Ag 층이 배치된 기판을 300 내지 400℃로 가열하고, 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 칼코게나이드 원소를 포함하는 제1증발원으로 통과시켜, 상기 기판 상에 제1박막을 증착하는 단계 (B);상기 기판을 430 내지 500℃로 가열하고, 구리(Cu) 및 칼코게나이드 원소를 포함하는 제2증발원으로 통과시켜, 상기 제1박막을 제2박막으로 변환하는 단계 (C); 및상기 기판을 In, Ga 및 칼코게나이드 원소를 포함하는 제3증발원으로 통과시켜, 상기 제2박막을 제3박막으로 변환하는 단계 (D)를 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리기판, 스테인리스 강, 티타늄(Ti) 및 폴리이미드 필름 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Ag 층은 20 nm 이하의 두께를 갖는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Ag 층은 Ag를 포함한 몰리브덴(Mo) 박막인, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (A) 이전에, 상기 기판과 Ag 층 사이에 후면전극을 배치하는, CIGS 박막의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 후면전극은 Mo, 텅스텐(W) 및 Ti 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 칼코게나이드 원소는 셀레늄(Se) 또는 황(S)인, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1박막은 (InxGa1-x)2(Se,S)3(0003c#x003c#1)의 조성을 갖는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2박막은 1≤Cu/(In+Ga)≤1
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제1항에 있어서,상기 제3박막에 포함되는 Cu의 몰분율은 상기 제2박막에 포함되는 Cu의 몰분율 미만인, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3박막에 포함되는 Cu, In, Ga의 함량은 0
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제1항에 있어서,상기 제3박막은 1 at% 이하의 Ag를 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (D) 이후에, 상기 기판을 Na 함유 물질을 포함하는 제4증발원으로 통과시켜, Na 원소를 상기 CIGS 박막에 도핑하는 단계 (E)를 더 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 Na 함유 물질은 NaF, NaSe 및 NaO 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1증발원 내지 제3증발원은 연속적으로 배치되고,상기 단계 (B) 내지 단계 (D)는 상기 기판이 연속적으로 배치된 상기 제1증발원 내지 제3증발원을 순차적으로 통과하는 인라인(inline) 연속 공정으로 진행되는, CIGS 박막의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 인라인 연속 공정은 롤투롤(roll-to-roll) 공정을 포함하는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (B)는 상기 제1증발원과 대향된 제1기판 가열부에서 수행되는, CIGS 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 (C) 및 단계 (D)는 상기 제2증발원 및 제3증발원과 대향된 제2기판 가열부에서 수행되는, CIGS 박막의 제조방법
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