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기판 상에 ITO 전극을 형성하는 단계;상기 ITO 전극의 일부를 노출하는 패시베이션 층을 형성하는 단계;상기 ITO 전극 상에 ITO 나노와이어들을 형성하는 단계; 및상기 ITO 나노와이어들 상에 금속 산화물을 형성하는 단계를 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 이리듐 산화물을 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물을 형성하는 단계는 상기 ITO 나노와이어 상에 상기 금속 산화물을 전착하는 단계를 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물을 전착하는 단계는:이리듐 산화물 졸을 준비하는 단계; 및상기 이리듐 산화물 졸 내에 상기 기판을 제공하여 상기 이리듐 산화물을 전착하는 단계를 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 이리듐 산화물 졸을 준비하는 단계는:물 내에 이리듐 염화물을 혼합하는 단계를 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 물 내에 과산화수소를 첨가하는 단계;상기 물 내에 옥살산을 첨가하는 단계; 및 상기 물 내에 pH 조절제를 첨가하는 단계를 더포함하는 신경전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 pH 조절제는 과염소산칼륨을 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 이리듐 산화물을 전착하는 단계는 CV 방법을 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 상기 ITO 나노와이어들의 간격의 절반보다 작은 두께로 형성되는 신경전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 패시베이션 층은 실리콘 산화물을 포함하는 신경전극의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 투명 글래스를 포함하는 신경전극의 제조방법,
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기판 상의 ITO 전극;상기 ITO 전극의 양측의 가장자리들을 덮는 패시베이션 층;상기 패시베이션 층으로부터 노출된 상기 ITO 전극 상의 ITO 나노와이어들; 및상기 ITO 나노와이어들 상에 배치되어 상기 ITO 나노와이어들의 표면적을 증가시키는 금속 산화물을 포함하는 신경신호 측정용 신경전극
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제 12 항에 있어서,상기 금속 산화물은 이리듐 산화물을 포함하는 신경신호 측정용 신경전극
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제 12 항에 있어서,상기 금속 산화물은 상기 ITO 나노와이어들의 간격의 절반보다 작은 두께를 갖는 신경신호 측정용 신경전극
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제 12 항에 있어서,상기 패시베이션 층은 실리콘 산화물을 포함하는 신경신호 측정용 신경전극
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제 12 항에 있어서,상기 기판은 투명 글래스를 포함하는 신경신호 측정용 신경전극
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