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금속이 도핑된 실리콘산화물, 이를 포함하는 이차전지용 음극재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019002751
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 이차전지용 음극재는, 화학식 SiMxOy로 표시되는 금속원소가 도핑된 실리콘산화물을 포함하고, 여기서 Si는 실리콘, x는 금속 및 y는 산소를 나타내며, x 및 y가 각각 0.1≤x≤1.0 및 0.01≤y003c#2의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 4/485 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/36 (2006.01.01) C01B 33/113 (2006.01.01) H01M 10/0525 (2010.01.01)
CPC H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01) H01M 4/485(2013.01)
출원번호/일자 1020120063097 (2012.06.13)
출원인 주식회사 예일전자
등록번호/일자 10-1427743-0000 (2014.07.30)
공개번호/일자 10-2013-0139555 (2013.12.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 예일전자 대한민국 인천광역시 부평구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강윤규 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)
2 정승훈 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **(대치동) *층(국제특허맥)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 예일전자 인천광역시 부평구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0469161-60
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0035005-89
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027331-79
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0753945-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1160500-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1160490-21
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0296849-76
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0416727-40
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0499521-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-0065249-76
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번호 청구항
1 1
화학식 SiOx(0003c#x003c#2)로 표시되는 실리콘산화물의 결정구조를 가지면서, 리튬과 반응하지 않는 전이금속원소가 결정 격자 내에 도핑된, 화학식 SiMxOy로 표시되는 실리콘산화물을 포함하고,상기 화학식 SiMxOy에서, Si는 실리콘, M은 전이금속원소, x는 상기 전이금속원소의 조성비, 및 y는 산소의 조성비를 나타내며, x 및 y가 각각 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전이금속원소는 Ni, Fe, Ti, Co, Ge, Ca 및 Al을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극재
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전이금속원소는 Ni인 것을 특징으로 하는 이차전지용 음극재
5 5
화학식 SiOx(0003c#x003c#2)로 표시되는 실리콘산화물 분말 및 금속분말을 혼합하여 혼합분말을 준비하는 제1 단계; 및상기 혼합분말을 불활성가스 분위기에서 밀링하여 금속원소가 도핑된 실리콘산화물을 제조하는 제2 단계;를 포함하고,상기 제1 단계에서 화학식 SiOx(0003c#x003c#2)로 표시되는 상기 실리콘산화물 분말은, (1) 염화실리콘 및 2가 알코올류인 글리콜을 혼합하여 다공성 물질을 형성하는 단계와, (2) 상기 다공성 물질을 불활성가스 분위기에서 열처리함으로써 실리콘산화물을 형성하는 단계를 통해 제조되고, 상기 금속원소가 도핑된 실리콘산화물을 화학식 SiMxOy로 표시할 때, Si는 실리콘, M은 금속원소, x는 상기 금속원소의 조성비, 및 y는 산소의 조성비를 나타내며, x 및 y가 각각 0
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 혼합분말은 전체 100중량부에 대하여, 상기 실리콘산화물 분말 70중량부 이상 및 80중량부 이하, 및 상기 금속분말 20중량부 이상 및 30중량부 이하가 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 하는 금속이 도핑된 실리콘산화물의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 금속분말은 리튬과 반응하지 않는 전이금속인 것을 특징으로 하는 금속이 도핑된 실리콘산화물의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전이금속은 Ni, Fe, Ti, Co, Ge, Ca 및 Al을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속이 도핑된 실리콘산화물의 제조방법
9 9
제 5 항에 있어서,상기 제1 단계에서, 상기 금속분말은 Ni인 것을 특징으로 하는 금속이 도핑된 실리콘산화물의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.